等离子体调控装置及半导体工艺设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410796364.9

申请日：

2024-06-19

公开(公告)号：

CN121171866A

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

范唯赵时琳李凯邱勇邓雅天宋蕾张峻赫卢雪妮

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01L21/67

代理机构：

北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726

代理人：

李梦宁

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体生成装置和半导体工艺设备 [P].

朱旭 ;

朱磊 .

中国专利 :CN112738968A ,2021-04-30

[2]

用于产生等离子体的线圈装置及半导体工艺设备 [P].

许金基 ;

茅兴飞 .

中国专利 :CN115602406A ,2023-01-13

[3]

形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备 [P].

杨光 ;

李佳阳 ;

马一鸣 ;

蒋中伟 ;

王京 .

中国专利 :CN117650047A ,2024-03-05

[4]

形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备 [P].

杨光 ;

李佳阳 ;

马一鸣 ;

蒋中伟 ;

王京 .

中国专利 :CN117650047B ,2024-05-17

[5]

半导体工艺设备及其脉冲调节等离子体方法 [P].

赵时琳 .

中国专利 :CN119170473B ,2025-10-10

[6]

半导体工艺设备及其脉冲调节等离子体方法 [P].

赵时琳 .

中国专利 :CN119170473A ,2024-12-20

[7]

半导体工艺设备和等离子体启辉方法 [P].

杨京 ;

钟晨玉 ;

韦刚 ;

陈星 .

中国专利 :CN112466732A ,2021-03-09

[8]

半导体工艺设备和等离子体启辉方法 [P].

杨京 ;

钟晨玉 ;

韦刚 ;

陈星 .

中国专利 :CN112466732B ,2024-06-21

[9]

远端等离子体源底座以及半导体工艺设备 [P].

张晗 ;

杨艳 ;

郑旭东 ;

苏欣 .

中国专利 :CN120048717A ,2025-05-27

[10]

用于产生等离子体的线圈结构及半导体工艺设备 [P].

赵晋荣 ;

王松 ;

韦刚 ;

陈星 ;

许金基 ;

张郢 .

中国专利 :CN115604899A ,2023-01-13

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