学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审

远端等离子体源底座以及半导体工艺设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510399153.6
申请日：
2025-03-31
公开(公告)号：
CN120048717A
公开(公告)日：
2025-05-27
发明(设计)人：
张晗 杨艳 郑旭东 苏欣
申请人：
拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
申请人地址：
110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
IPC主分类号：
H01J37/32
IPC分类号：
C23C16/44 C23C16/50
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
胡林岭
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-27 公开 公开
2025-06-13 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20250331
共 50 条
[1]
远程等离子体源的安装结构及半导体工艺设备 [P]. 
尹凌风 .
中国专利 :CN117995636A ,2024-05-07
[2]
等离子体调控装置及半导体工艺设备 [P]. 
范唯 ;
赵时琳 ;
李凯 ;
邱勇 ;
邓雅天 ;
宋蕾 ;
张峻赫 ;
卢雪妮 .
中国专利 :CN121171866A ,2025-12-19
[3]
等离子体生成装置和半导体工艺设备 [P]. 
朱旭 ;
朱磊 .
中国专利 :CN112738968A ,2021-04-30
[4]
一种远程等离子体源清洁系统和半导体工艺设备 [P]. 
杨雪 .
中国专利 :CN120479862A ,2025-08-15
[5]
半导体工艺设备及其脉冲调节等离子体方法 [P]. 
赵时琳 .
中国专利 :CN119170473B ,2025-10-10
[6]
半导体工艺设备及其脉冲调节等离子体方法 [P]. 
赵时琳 .
中国专利 :CN119170473A ,2024-12-20
[7]
半导体工艺设备和等离子体启辉方法 [P]. 
杨京 ;
钟晨玉 ;
韦刚 ;
陈星 .
中国专利 :CN112466732A ,2021-03-09
[8]
半导体工艺设备和等离子体启辉方法 [P]. 
杨京 ;
钟晨玉 ;
韦刚 ;
陈星 .
中国专利 :CN112466732B ,2024-06-21
[9]
半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备 [P]. 
涂天佑 .
中国专利 :CN121109970A ,2025-12-12
[10]
形成半导体结构的方法、等离子体发生装置及半导体工艺设备 [P]. 
杨光 ;
李佳阳 ;
马一鸣 ;
蒋中伟 ;
王京 .
中国专利 :CN117650047A ,2024-03-05
12345