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一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810167642.9
申请日：
2018-02-28
公开(公告)号：
CN108376735A
公开(公告)日：
2018-08-07
发明(设计)人：
谭鑫 吕元杰 周幸叶 宋旭波 王元刚 冯志红 徐森锋 马春雷
申请人：
申请人地址：
050051 河北省石家庄市新华区合作路113号
IPC主分类号：
H01L41113
IPC分类号：
H01L4123 H01L4125 H01L29778 H01L2920 H01L2507
代理机构：
石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人：
谢茵
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2018-08-31 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/113 申请日:20180228
2018-08-07 公开 公开
共 50 条
[1]
一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件 [P]. 
谭鑫 ;
吕元杰 ;
周幸叶 ;
宋旭波 ;
王元刚 ;
冯志红 ;
邹学锋 ;
马春雷 .
中国专利 :CN108389959A ,2018-08-10
[2]
一种GaN压力传感器制备方法及器件 [P]. 
谭鑫 ;
吕元杰 ;
周幸叶 ;
宋旭波 ;
王元刚 ;
冯志红 ;
邹学锋 ;
徐森锋 .
中国专利 :CN108414121A ,2018-08-17
[3]
GaN电桥式绝压压力传感器及制作方法 [P]. 
吕元杰 ;
谭鑫 ;
周幸叶 ;
宋旭波 ;
王元刚 ;
冯志红 .
中国专利 :CN108519174A ,2018-09-11
[4]
Si基GaN压力传感器的制备方法 [P]. 
谭鑫 ;
吕元杰 ;
周幸叶 ;
宋旭波 ;
王元刚 ;
冯志红 ;
徐森锋 ;
马春雷 .
中国专利 :CN108400235B ,2018-08-14
[5]
Si基GaN压力传感器的制备方法 [P]. 
吕元杰 ;
谭鑫 ;
周幸叶 ;
宋旭波 ;
王元刚 ;
冯志红 .
中国专利 :CN108414120A ,2018-08-17
[6]
Si基GaN压力传感器的制备方法 [P]. 
谭鑫 ;
吕元杰 ;
周幸叶 ;
宋旭波 ;
王元刚 ;
冯志红 ;
马春雷 ;
邹学锋 .
中国专利 :CN108598253B ,2018-09-28
[7]
GaN高温压力传感器及制备方法 [P]. 
宋旭波 ;
吕元杰 ;
谭鑫 ;
韩婷婷 ;
周幸叶 ;
冯志红 .
中国专利 :CN109682510A ,2019-04-26
[8]
GaN高温压力传感器及制备方法 [P]. 
宋旭波 ;
吕元杰 ;
谭鑫 ;
韩婷婷 ;
周幸叶 ;
冯志红 .
中国专利 :CN109668661A ,2019-04-23
[9]
压力传感器、压力传感器阵列及其制备方法 [P]. 
郭小军 ;
陈苏杰 ;
唐伟 ;
赵家庆 .
中国专利 :CN107843364A ,2018-03-27
[10]
压力传感器及压力传感器制备方法 [P]. 
杨显青 ;
王丽花 ;
郭瑞 ;
申海静 .
中国专利 :CN119573931A ,2025-03-07
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