Si基GaN压力传感器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810168893.9

申请日：

2018-02-28

公开(公告)号：

CN108414120A

公开(公告)日：

2018-08-17

发明(设计)人：

吕元杰谭鑫周幸叶宋旭波王元刚冯志红

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市新华区合作路113号

IPC主分类号：

G01L114

IPC分类号：

G01L122

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

夏素霞

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-17	公开	公开
2021-06-15	授权	授权
2018-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01L 1/14 申请日:20180228

共 50 条

[1]

Si基GaN压力传感器的制备方法 [P].

谭鑫 ;

吕元杰 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

徐森锋 ;

马春雷 .

中国专利 :CN108400235B ,2018-08-14

[2]

Si基GaN压力传感器的制备方法 [P].

谭鑫 ;

吕元杰 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

马春雷 ;

邹学锋 .

中国专利 :CN108598253B ,2018-09-28

[3]

一种GaN压力传感器制备方法及器件 [P].

谭鑫 ;

吕元杰 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

邹学锋 ;

徐森锋 .

中国专利 :CN108414121A ,2018-08-17

[4]

SOI基GaN压力传感器及其制备方法 [P].

吕元杰 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

周幸叶 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

梁士雄 ;

马春雷 .

中国专利 :CN109297620A ,2019-02-01

[5]

GaN微压压力传感器及其制备方法 [P].

谭鑫 ;

吕元杰 ;

宋旭波 ;

周幸叶 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

梁士雄 ;

徐森峰 .

中国专利 :CN109269687A ,2019-01-25

[6]

一种电桥式GaN压力传感器制备方法及器件 [P].

谭鑫 ;

吕元杰 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

徐森锋 ;

马春雷 .

中国专利 :CN108376735A ,2018-08-07

[7]

GaN高温压力传感器及制备方法 [P].

宋旭波 ;

吕元杰 ;

谭鑫 ;

韩婷婷 ;

周幸叶 ;

冯志红 .

中国专利 :CN109682510A ,2019-04-26

[8]

GaN高温压力传感器及制备方法 [P].

宋旭波 ;

吕元杰 ;

谭鑫 ;

韩婷婷 ;

周幸叶 ;

冯志红 .

中国专利 :CN109668661A ,2019-04-23

[9]

压力传感器制备方法及其制备的压力传感器 [P].

陈鲁倬 ;

张薇 ;

孙凌沁 .

中国专利 :CN108896215B ,2018-11-27

[10]

压力传感器的制备方法及压力传感器 [P].

马清杰 ;

李文翔 .

中国专利 :CN106768514A ,2017-05-31

← 1 2 3 4 5 →