SOI基GaN压力传感器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811114543.0

申请日：

2018-09-25

公开(公告)号：

CN109297620A

公开(公告)日：

2019-02-01

发明(设计)人：

吕元杰谭鑫宋旭波周幸叶王元刚冯志红梁士雄马春雷

申请人：

申请人地址：

050051 河北省石家庄市新华区合作路113号

IPC主分类号：

G01L100

IPC分类号：

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

王丽巧

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01L 1/00 申请公布日:20190201
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01L 1/00 申请日:20180925
2019-02-01	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN微压压力传感器及其制备方法 [P].

谭鑫 ;

吕元杰 ;

宋旭波 ;

周幸叶 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

梁士雄 ;

徐森峰 .

中国专利 :CN109269687A ,2019-01-25

[2]

Si基GaN压力传感器的制备方法 [P].

谭鑫 ;

吕元杰 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

徐森锋 ;

马春雷 .

中国专利 :CN108400235B ,2018-08-14

[3]

Si基GaN压力传感器的制备方法 [P].

吕元杰 ;

谭鑫 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

王元刚 ;

冯志红 .

中国专利 :CN108414120A ,2018-08-17

[4]

Si基GaN压力传感器的制备方法 [P].

谭鑫 ;

吕元杰 ;

周幸叶 ;

宋旭波 ;

王元刚 ;

冯志红 ;

马春雷 ;

邹学锋 .

中国专利 :CN108598253B ,2018-09-28

[5]

SOI压力传感器压敏电阻及其制作方法、SOI压力传感器 [P].

曾庆平 ;

金忠 ;

张浩 ;

何峰 ;

周国方 ;

丁玎 ;

吴迪 .

中国专利 :CN110911546B ,2020-03-24

[6]

压力传感器制备方法及其制备的压力传感器 [P].

陈鲁倬 ;

张薇 ;

孙凌沁 .

中国专利 :CN108896215B ,2018-11-27

[7]

压力传感器、压力传感器阵列及其制备方法 [P].

郭小军 ;

陈苏杰 ;

唐伟 ;

赵家庆 .

中国专利 :CN107843364A ,2018-03-27

[8]

一种负阻式GaN压力传感器及其制备方法 [P].

张伟 ;

汤乃云 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN110729394A ,2020-01-24

[9]

GaN高温压力传感器及制备方法 [P].

宋旭波 ;

吕元杰 ;

谭鑫 ;

韩婷婷 ;

周幸叶 ;

冯志红 .

中国专利 :CN109682510A ,2019-04-26

[10]

GaN高温压力传感器及制备方法 [P].

宋旭波 ;

吕元杰 ;

谭鑫 ;

韩婷婷 ;

周幸叶 ;

冯志红 .

中国专利 :CN109668661A ,2019-04-23

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