密封的半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810908784.6

申请日：

2013-03-22

公开(公告)号：

CN109994586B

公开(公告)日：

2019-07-09

发明(设计)人：

雷继谱 S.施亚夫菲诺 A.H.尼克

申请人：

申请人地址：

荷兰史基浦

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3338 H01L3352 H01L3362 H01L2156 H01L21683 H01L3300

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

孙之刚;陈岚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20130322
2022-06-03	授权	授权
2019-07-09	公开	公开

共 50 条

[1]

密封的半导体发光器件 [P].

J.雷 ;

S.施亚夫菲诺 ;

A.H.尼克 .

中国专利 :CN104205366B ,2014-12-10

[2]

半导体发光器件和形成半导体发光器件的方法 [P].

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN102473807B ,2012-05-23

[3]

半导体发光器件 [P].

竹中靖二 .

中国专利 :CN1306626C ,2004-08-04

[4]

半导体发光器件 [P].

崔繁在 ;

朴永洙 ;

柳荣浩 ;

朴泰荣 ;

洪镇基 .

中国专利 :CN105390580A ,2016-03-09

[5]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[6]

半导体发光器件以及半导体器件的制造方法 [P].

S·E·霍珀 ;

V·鲍斯奎特 ;

J·赫弗尔南 .

中国专利 :CN100477304C ,2006-11-01

[7]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

[8]

半导体发光器件及其制造方法 [P].

M.A.德萨姆伯 .

中国专利 :CN103959487B ,2014-07-30

[9]

半导体发光器件及具有该半导体发光器件的发光器件封装 [P].

朴炯兆 .

中国专利 :CN101771125A ,2010-07-07

[10]

半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 [P].

后藤田徹 ;

名古肇 ;

冈俊行 ;

财满康太郎 ;

布上真也 .

中国专利 :CN102194986A ,2011-09-21

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