半导体生长用基板、半导体元件、半导体发光元件以及半导体元件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980038015.8

申请日：

2019-06-04

公开(公告)号：

CN112236874A

公开(公告)日：

2021-01-15

发明(设计)人：

大长久芳神野大树

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3322

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

谢辰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-15	公开	公开
2021-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/22 申请日:20190604

共 50 条

[1]

半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件 [P].

梶田康仁 ;

筱塚启 ;

大纮太郎 .

中国专利 :CN105706255A ,2016-06-22

[2]

半导体发光元件用基板以及半导体发光元件 [P].

梶田康仁 ;

筱塚启 ;

大纮太郎 .

中国专利 :CN110047981A ,2019-07-23

[3]

半导体基板、半导体元件、发光元件以及电子元件 [P].

藤冈洋 .

中国专利 :CN101952984A ,2011-01-19

[4]

半导体基板的制造方法、半导体元件的制造方法、半导体基板以及半导体元件 [P].

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

后藤博一 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN106165073B ,2016-11-23

[5]

半导体元件以及半导体元件制造方法 [P].

小林光 ;

长泽弘幸 ;

八田直记 ;

河原孝光 .

中国专利 :CN101919032A ,2010-12-15

[6]

半导体发光元件用基板及半导体发光元件 [P].

八田嘉久 ;

篠塚启 ;

大纮太郎 ;

梶田康仁 .

中国专利 :CN108389944B ,2018-08-10

[7]

半导体元件用外延基板、半导体元件用外延基板的制造方法、以及半导体元件 [P].

三好实人 ;

市村干也 ;

前原宗太 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN103109351A ,2013-05-15

[8]

半导体元件用外延基板、半导体元件用外延基板的制造方法以及半导体元件 [P].

角谷茂明 ;

三好実人 ;

杉山智彦 ;

市村干也 ;

仓冈义孝 ;

田中光浩 .

中国专利 :CN102484049A ,2012-05-30

[9]

半导体基板、半导体元件以及半导体基板的制造方法 [P].

仓又朗人 ;

渡边信也 ;

佐佐木公平 ;

八木邦明 ;

八田直记 ;

东胁正高 ;

小西敬太 .

中国专利 :CN110869543A ,2020-03-06

[10]

半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件 [P].

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN105453278A ,2016-03-30

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