产生用于对衬底表面图案化的等离子体放电的设备和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080065601.0

申请日：

2010-02-17

公开(公告)号：

CN102823331A

公开(公告)日：

2012-12-12

发明(设计)人：

保卢斯·佩特鲁斯·玛利亚·布洛姆阿尔昆·阿方斯·伊丽莎白·史蒂文斯劳伦西亚·约翰娜·回吉布雷格特斯雨果·安东·玛丽·德哈恩安东尼尔斯·休伯特斯·万斯基恩戴尔埃德温·特斯莱格特尼古拉斯·克尼里斯·约瑟夫斯·万海宁根汤姆·惠斯卡姆普

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H05H124

IPC分类号：

C23C1404

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204

代理人：

余朦;施蕾

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

产生用于对衬底表面进行构图的等离子体放电的设备 [P].

保卢斯·佩特鲁斯·玛利亚·布洛姆 ;

菲利普·罗辛 ;

阿尔昆·阿方斯·伊丽莎白·史蒂文斯 ;

劳伦西亚·约翰娜·回吉布雷格特斯 ;

埃迪·博斯 .

中国专利 :CN102204414B ,2011-09-28

[2]

表面介质阻挡放电等离子体单元和产生表面等离子体的方法 [P].

伊夫·洛德韦克·马里亚·克雷格托恩 ;

马塞尔·希莫尔 ;

蒂莫·胡伊斯尔 .

中国专利 :CN101611656A ,2009-12-23

[3]

表面介质阻挡放电等离子体单元和产生表面等离子体的方法 [P].

伊夫·洛德韦克·马里亚·克雷格托恩 ;

马塞尔·希莫尔 ;

蒂莫·胡伊斯尔 .

中国专利 :CN102892248A ,2013-01-23

[4]

等离子体电源和等离子放电方法 [P].

田修波 ;

欧科军 .

中国专利 :CN114928266A ,2022-08-19

[5]

用于衬底的等离子体处理的等离子体处理设备和方法 [P].

U·克罗尔 ;

B·莱格拉迪克 .

中国专利 :CN102017056A ,2011-04-13

[6]

产生脉冲等离子体的方法及其等离子体设备 [P].

韦刚 ;

成晓阳 ;

卫晶 ;

苏恒毅 .

中国专利 :CN107295739A ,2017-10-24

[7]

用于预离子化表面波发射的等离子体放电源的系统和方法 [P].

迈克尔·W·斯托厄尔 .

中国专利 :CN101945689A ,2011-01-12

[8]

用于等离子体蚀刻衬底的方法和设备 [P].

J·L·伯内特 ;

H·阿什拉夫 .

英国专利 :CN120727570A ,2025-09-30

[9]

用于等离子体放电的电极组件 [P].

D·万德克 ;

R·莱特克 .

德国专利 :CN117981472A ,2024-05-03

[10]

电介质阻挡式等离子体产生装置以及电介质阻挡式等离子体产生装置的等离子体放电开始方法 [P].

平冈尊宏 ;

中村谦介 ;

鲛岛贵纪 .

中国专利 :CN114788416A ,2022-07-22

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101417124512 IPC(主分类):H05H 1/24 专利申请号:2010800656010 申请日:20100217
2016-12-07	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101742848364 IPC(主分类):H05H 1/24 专利申请号:2010800656010 申请公布日:20121212
2012-12-12	公开	公开