一种MOS晶体管结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310713804.1

申请日：

2013-12-20

公开(公告)号：

CN104733318A

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

李睿尹海洲刘云飞

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20220228 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:北京中科微投资管理有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:100010 北京市东城区大取灯胡同2号4号楼1层108室
2015-06-24	公开	公开
2018-03-16	授权	授权
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101617854806 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013107138041 申请日:20131220

共 50 条

[1]

一种MOS晶体管结构及其制造方法 [P].

李睿 ;

尹海洲 ;

刘云飞 .

中国专利 :CN104733319A ,2015-06-24

[2]

MOS晶体管的制造方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN104078361B ,2014-10-01

[3]

MOS晶体管器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103579308A ,2014-02-12

[4]

一种MOS晶体管隔离区制造方法及MOS晶体管 [P].

原小明 ;

高玉翠 .

中国专利 :CN118073401A ,2024-05-24

[5]

MOS晶体管结构及其制造方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN103456786A ,2013-12-18

[6]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101752253B ,2010-06-23

[7]

MOS晶体管的制造方法 [P].

李奉载 .

中国专利 :CN102044434A ,2011-05-04

[8]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102543747A ,2012-07-04

[9]

MOS晶体管及用于制造MOS晶体管结构的方法 [P].

福尔克尔·杜德克 .

中国专利 :CN1652321A ,2005-08-10

[10]

一种抗辐照MOS晶体管版图结构及其制造方法 [P].

苏壮壮 ;

孙鲁飞 ;

王文锋 ;

宫佳 ;

徐佳玲 .

中国专利 :CN121152259A ,2025-12-16

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