一种碳化硅晶体生长的坩埚结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320017859.4

申请日：

2013-01-14

公开(公告)号：

CN203096233U

公开(公告)日：

2013-07-31

发明(设计)人：

陶莹高宇段聪赵梅玉邓树军

申请人：

申请人地址：

102206 北京市昌平区沙河镇北二村路庄桥西沙河工业城

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2300

代理机构：

北京轻创知识产权代理有限公司 11212

代理人：

杨立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-31	授权	授权
2019-01-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20130114 授权公告日:20130731 终止日期:20180114

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[2]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[3]

一种碳化硅晶体生长坩埚、装置 [P].

罗寅辉 ;

黄立文 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN223445686U ,2025-10-17

[4]

生长坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

吴亚娟 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN217378098U ,2022-09-06

[5]

一种碳化硅晶体生长装置 [P].

高超 ;

宗艳民 ;

赵吉强 ;

刘家朋 .

中国专利 :CN206624944U ,2017-11-10

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

薛卫明 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN217757758U ,2022-11-08

[7]

一种新型碳化硅晶体生长坩埚 [P].

赵光利 ;

史建伟 ;

许登基 ;

杨振鲁 ;

袁祥瑞 .

中国专利 :CN222809590U ,2025-04-29

[8]

碳化硅晶体生长装置 [P].

杨树 ;

张洁 .

中国专利 :CN221071723U ,2024-06-04

[9]

用于碳化硅晶体生长的坩埚 [P].

秦俊 ;

申慧 ;

王小刚 ;

翟虎 ;

宋亚滨 .

中国专利 :CN218026458U ,2022-12-13

[10]

碳化硅晶体生长坩埚及其制备方法、晶体生长炉 [P].

李丙菊 ;

廖雨舟 ;

谭善宥 ;

吴海源 ;

彭浩波 ;

李军 ;

廖寄乔 .

中国专利 :CN117626417A ,2024-03-01

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