一种碳化硅晶体生长坩埚、装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202422411728.5

申请日：

2024-10-08

公开(公告)号：

CN223445686U

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

罗寅辉黄立文陈俊宏

申请人：

先导原创（上海）新技术研究有限公司

申请人地址：

201201 上海市浦东新区恒庆路600号5幢

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

姚舜禹

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[2]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[3]

生长坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

吴亚娟 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN217378098U ,2022-09-06

[4]

一种碳化硅晶体生长的坩埚结构 [P].

陶莹 ;

高宇 ;

段聪 ;

赵梅玉 ;

邓树军 .

中国专利 :CN203096233U ,2013-07-31

[5]

一种新型碳化硅晶体生长坩埚 [P].

赵光利 ;

史建伟 ;

许登基 ;

杨振鲁 ;

袁祥瑞 .

中国专利 :CN222809590U ,2025-04-29

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 .

中国专利 :CN223481346U ,2025-10-28

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

李远田 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN217757757U ,2022-11-08

[8]

一种碳化硅晶体生长装置 [P].

高超 ;

宗艳民 ;

赵吉强 ;

刘家朋 .

中国专利 :CN206624944U ,2017-11-10

[9]

碳化硅晶体生长坩埚及其制备方法、晶体生长炉 [P].

李丙菊 ;

廖雨舟 ;

谭善宥 ;

吴海源 ;

彭浩波 ;

李军 ;

廖寄乔 .

中国专利 :CN117626417A ,2024-03-01

[10]

一种碳化硅晶体生长坩埚装置 [P].

朱纳新 .

中国专利 :CN216404591U ,2022-04-29

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