离子束设备用双灯丝中和器

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专利类型
发明
申请号
CN201910018562.1
申请日
2019-01-09
公开(公告)号
CN109881174A
公开(公告)日
2019-06-14
发明(设计)人
不公告发明人
申请人
申请人地址
102101 北京市延庆区康庄镇八达岭开发区风谷四路8号院26号楼
IPC主分类号
C23C1446
IPC分类号
H01J3730 H01J37305
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
离子束设备用双灯丝中和器 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN209619443U ,2019-11-12
[2]
离子束电子中和器 [P]. 
V·M·本维尼斯特 .
中国专利 :CN1125896A ,1996-07-03
[3]
离子束中和方法及设备 [P]. 
J·陈 ;
V·M·奔维尼斯特 .
中国专利 :CN1132227C ,1998-04-15
[4]
用于离子束蚀刻的等离子体桥中和器 [P]. 
R·叶夫图霍夫 ;
I·切伦科夫 ;
B·德鲁兹 ;
A·海耶斯 ;
R·希罗尼米 .
中国专利 :CN110176381A ,2019-08-27
[5]
双离子束共溅射纳米膜设备 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN209619442U ,2019-11-12
[6]
双离子束共溅射薄膜设备真空室 [P]. 
雷念程 .
中国专利 :CN304642655S ,2018-05-22
[7]
离子束照射装置和离子束照射方法 [P]. 
安东靖典 .
中国专利 :CN100552866C ,2007-03-21
[8]
双真空室离子束加工系统 [P]. 
宫文 ;
孙建坤 .
中国专利 :CN211182153U ,2020-08-04
[9]
一种离子束抛光设备 [P]. 
常洪兴 ;
徐胜 .
中国专利 :CN210549947U ,2020-05-19
[10]
一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备 [P]. 
李正磊 ;
卓永生 ;
杨方宝 .
中国专利 :CN221352705U ,2024-07-16