离子束电子中和器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95109116.6

申请日：

1995-06-30

公开(公告)号：

CN1125896A

公开(公告)日：

1996-07-03

发明(设计)人：

V·M·本维尼斯特

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄州

IPC主分类号：

H01J3730

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

萧掬昌;马铁良

法律状态：

专利申请的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-10-04	专利申请的视为撤回	专利申请的视为撤回
1997-10-08	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1996-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

离子束中和方法及设备 [P].

J·陈 ;

V·M·奔维尼斯特 .

中国专利 :CN1132227C ,1998-04-15

[2]

离子束设备用双灯丝中和器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN209619443U ,2019-11-12

[3]

离子束设备用双灯丝中和器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109881174A ,2019-06-14

[4]

用于离子束蚀刻的等离子体桥中和器 [P].

R·叶夫图霍夫 ;

I·切伦科夫 ;

B·德鲁兹 ;

A·海耶斯 ;

R·希罗尼米 .

中国专利 :CN110176381A ,2019-08-27

[5]

离子中和器电子源 [P].

赵艳珩 ;

沈旭东 ;

王芮 ;

袁璟春 ;

王冰冰 ;

侯信磊 ;

孟昭红 ;

刘鲁伟 ;

王鹏康 ;

俞畅 .

中国专利 :CN209418459U ,2019-09-20

[6]

使用水蒸气中和离子束的系统和方法 [P].

V·M·本文尼斯特 ;

F·辛克莱尔 ;

陈炯 .

中国专利 :CN1117390C ,1999-03-24

[7]

离子束传送的方法和装置 [P].

V·M·本维尼斯特 ;

陈炯 ;

T·N·霍斯基 ;

W·E·雷诺 .

中国专利 :CN1161563A ,1997-10-08

[8]

一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备 [P].

李正磊 ;

卓永生 ;

杨方宝 .

中国专利 :CN221352705U ,2024-07-16

[9]

一种应用于离子束非金属刻蚀的中和器系统 [P].

郑林 ;

吴洪文 ;

石慧 ;

李媛 ;

崔云涛 ;

王得信 .

中国专利 :CN112992644A ,2021-06-18

[10]

一种离子束镀膜与刻蚀设备中的双模耦合中和器 [P].

陈特超 ;

刘东明 ;

黄群 ;

龚俊 ;

袁祖浩 ;

李勇 .

中国专利 :CN119811966A ,2025-04-11

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