一种离子束镀膜与刻蚀设备中的双模耦合中和器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311302595.1
申请日
2023-10-09
公开(公告)号
CN119811966A
公开(公告)日
2025-04-11
发明(设计)人
陈特超 刘东明 黄群 龚俊 袁祖浩 李勇
申请人
中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请人地址
410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
IPC主分类号
H01J37/02
IPC分类号
代理机构
湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008
代理人
廖元宝
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种离子束镀膜设备 [P]. 
陈卫军 ;
欧阳增图 ;
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[2]
一种离子束镀膜装置 [P]. 
闫志强 .
中国专利 :CN214496464U ,2021-10-26
[3]
一种离子束镀膜设备及其镀膜方法 [P]. 
范江华 ;
佘鹏程 ;
周立平 ;
巴塞 ;
袁祖浩 ;
程文进 .
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[4]
一种离子束镀膜聚焦离子源 [P]. 
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唐欢欢 .
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[5]
一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备 [P]. 
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[6]
离子束设备用双灯丝中和器 [P]. 
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[7]
离子束设备用双灯丝中和器 [P]. 
不公告发明人 .
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[8]
多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备 [P]. 
龙世兵 ;
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谢常青 ;
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[9]
一种应用于离子束非金属刻蚀的中和器系统 [P]. 
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[10]
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金杰 ;
黄晓林 ;
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