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一种离子束镀膜与刻蚀设备中的双模耦合中和器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202311302595.1
申请日
:
2023-10-09
公开(公告)号
:
CN119811966A
公开(公告)日
:
2025-04-11
发明(设计)人
:
陈特超
刘东明
黄群
龚俊
袁祖浩
李勇
申请人
:
中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请人地址
:
410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
IPC主分类号
:
H01J37/02
IPC分类号
:
代理机构
:
湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008
代理人
:
廖元宝
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-29
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/02申请日:20231009
2025-04-11
公开
公开
共 50 条
[1]
一种离子束镀膜设备
[P].
陈卫军
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
苏州辰华半导体技术有限公司
苏州辰华半导体技术有限公司
陈卫军
;
欧阳增图
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机构:
苏州辰华半导体技术有限公司
苏州辰华半导体技术有限公司
欧阳增图
;
刘凌海
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机构:
苏州辰华半导体技术有限公司
苏州辰华半导体技术有限公司
刘凌海
.
中国专利
:CN221971656U
,2024-11-08
[2]
一种离子束镀膜装置
[P].
闫志强
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闫志强
.
中国专利
:CN214496464U
,2021-10-26
[3]
一种离子束镀膜设备及其镀膜方法
[P].
范江华
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范江华
;
佘鹏程
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佘鹏程
;
周立平
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周立平
;
巴塞
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巴塞
;
袁祖浩
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袁祖浩
;
程文进
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程文进
.
中国专利
:CN112899633B
,2021-06-04
[4]
一种离子束镀膜聚焦离子源
[P].
安建昊
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安建昊
;
唐欢欢
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唐欢欢
.
中国专利
:CN211125568U
,2020-07-28
[5]
一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备
[P].
李正磊
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机构:
昂成精密仪器(深圳)有限公司
昂成精密仪器(深圳)有限公司
李正磊
;
卓永生
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机构:
昂成精密仪器(深圳)有限公司
昂成精密仪器(深圳)有限公司
卓永生
;
杨方宝
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机构:
昂成精密仪器(深圳)有限公司
昂成精密仪器(深圳)有限公司
杨方宝
.
中国专利
:CN221352705U
,2024-07-16
[6]
离子束设备用双灯丝中和器
[P].
不公告发明人
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不公告发明人
.
中国专利
:CN209619443U
,2019-11-12
[7]
离子束设备用双灯丝中和器
[P].
不公告发明人
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不公告发明人
.
中国专利
:CN109881174A
,2019-06-14
[8]
多功能离子束溅射沉积与刻蚀设备
[P].
龙世兵
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龙世兵
;
刘明
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刘明
;
陈宝钦
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陈宝钦
;
谢常青
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谢常青
;
贾锐
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贾锐
;
徐连生
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徐连生
.
中国专利
:CN101880863A
,2010-11-10
[9]
一种应用于离子束非金属刻蚀的中和器系统
[P].
郑林
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郑林
;
吴洪文
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吴洪文
;
石慧
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石慧
;
李媛
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李媛
;
崔云涛
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崔云涛
;
王得信
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王得信
.
中国专利
:CN112992644A
,2021-06-18
[10]
一种制备风速管防冰敷涂层的离子束镀膜装置
[P].
金杰
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金杰
;
黄晓林
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黄晓林
;
王月
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王月
.
中国专利
:CN205529015U
,2016-08-31
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