一种应用于离子束非金属刻蚀的中和器系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110026600.5

申请日：

2021-01-08

公开(公告)号：

CN112992644A

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

郑林吴洪文石慧李媛崔云涛王得信

申请人：

申请人地址：

300131 天津市红桥区丁字沽一号路268号

IPC主分类号：

H01J3732

IPC分类号：

代理机构：

天津盛理知识产权代理有限公司 12209

代理人：

王雨晴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/32 申请日:20210108
2021-06-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种应用于离子束刻蚀溅射防护的装置和方法 [P].

郑林 ;

石慧 ;

王殿良 ;

崔云涛 ;

吴洪文 ;

王得信 .

中国专利 :CN109411321A ,2019-03-01

[2]

一种离子束刻蚀设备 [P].

胡凡 ;

彭立波 ;

佘鹏程 ;

龚俊 ;

陈特超 ;

程文进 ;

范江华 .

中国专利 :CN109524285B ,2019-03-26

[3]

一种离子束刻蚀控制系统 [P].

张海飞 ;

李正磊 ;

陈勇 .

中国专利 :CN223123386U ,2025-07-18

[4]

一种离子束刻蚀控制系统 [P].

张海飞 ;

李正磊 ;

陈勇 .

中国专利 :CN119270758A ,2025-01-07

[5]

一种用于离子束刻蚀机的工件台 [P].

佘鹏程 ;

龚俊 ;

彭立波 ;

毛朝斌 .

中国专利 :CN106531601A ,2017-03-22

[6]

用于离子束蚀刻的等离子体桥中和器 [P].

R·叶夫图霍夫 ;

I·切伦科夫 ;

B·德鲁兹 ;

A·海耶斯 ;

R·希罗尼米 .

中国专利 :CN110176381A ,2019-08-27

[7]

一种离子束镀膜与刻蚀设备中的双模耦合中和器 [P].

陈特超 ;

刘东明 ;

黄群 ;

龚俊 ;

袁祖浩 ;

李勇 .

中国专利 :CN119811966A ,2025-04-11

[8]

一种离子束刻蚀工件台 [P].

陈特超 ;

陈庆广 ;

孙雪平 ;

胡凡 ;

佘鹏程 .

中国专利 :CN104233305B ,2014-12-24

[9]

一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备 [P].

李正磊 ;

卓永生 ;

杨方宝 .

中国专利 :CN221352705U ,2024-07-16

[10]

一种应用于离子束加工装置的夹具 [P].

李晓静 ;

蒋凯 ;

王林 ;

裴宁 .

中国专利 :CN120901804A ,2025-11-07

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