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一种射频离子源中和器及离子束溅射沉积和刻蚀设备
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202323258136.6
申请日：
2023-11-30
公开(公告)号：
CN221352705U
公开(公告)日：
2024-07-16
发明(设计)人：
李正磊
卓永生
杨方宝
申请人：
昂成精密仪器（深圳）有限公司
申请人地址：
518000 广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区翠景路35号1栋昂纳集团1号厂房702
IPC主分类号：
H01L21/67
IPC分类号：
H01J37/32
代理机构：
深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360
代理人：
陈嘉琪
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-16 | 授权 | 授权 |