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离子源及离子刻蚀设备
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN202022399024.2
申请日：
2020-10-26
公开(公告)号：
CN213184195U
公开(公告)日：
2021-05-11
发明(设计)人：
唐云俊
王昱翔
周虹玲
周东修
申请人：
申请人地址：
314400 浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区双联路129号14幢
IPC主分类号：
H01J2718
IPC分类号：
H01J3708
H01J37305
代理机构：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253
代理人：
王大国
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-05-11 | 授权 | 授权 |