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离子源电弧室、离子源及离子注入设备
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202422577667.X
申请日
:
2024-10-24
公开(公告)号
:
CN223527118U
公开(公告)日
:
2025-11-07
发明(设计)人
:
林纪光
申请人
:
重庆芯联微电子有限公司
申请人地址
:
401332 重庆市沙坪坝区高新区西永街道西永大道28-2号SOHO楼601-A153
IPC主分类号
:
H01J37/08
IPC分类号
:
H01J37/317
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
张子飞
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-11-07
授权
授权
共 50 条
[1]
离子源及离子注入装置
[P].
邸太平
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邸太平
;
洪纪伦
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洪纪伦
;
倪明明
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倪明明
;
吴宗祐
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吴宗祐
;
林宗贤
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林宗贤
.
中国专利
:CN208753260U
,2019-04-16
[2]
离子注入系统及离子源
[P].
T·N·霍尔斯基
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T·N·霍尔斯基
;
B·C·科恩
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B·C·科恩
;
W·A·克鲁尔
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W·A·克鲁尔
;
G·P·小萨科
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G·P·小萨科
.
中国专利
:CN100385605C
,2004-02-25
[3]
离子源灯丝结构、离子源装置及离子注入设备
[P].
杜建民
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杜建民
;
邵卫
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邵卫
;
邵浩
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邵浩
;
宋文博
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宋文博
.
中国专利
:CN217933703U
,2022-11-29
[4]
离子源及采用该离子源的离子注入机
[P].
单易飞
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单易飞
.
中国专利
:CN203983227U
,2014-12-03
[5]
离子注入机的离子源
[P].
简志宏
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简志宏
;
王振辉
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王振辉
.
中国专利
:CN201478255U
,2010-05-19
[6]
离子源、离子源注入设备及离子分布调整方法
[P].
田香军
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田香军
;
陈艳
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陈艳
;
王学勇
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王学勇
.
中国专利
:CN107093542A
,2017-08-25
[7]
离子源及离子注入机
[P].
陈中林
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陈中林
;
刘群超
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刘群超
;
张兴林
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张兴林
;
孙彦刚
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孙彦刚
.
中国专利
:CN203631482U
,2014-06-04
[8]
阴极安装结构、离子源及离子注入设备
[P].
曾健纶
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机构:
重庆芯联微电子有限公司
重庆芯联微电子有限公司
曾健纶
.
中国专利
:CN223193751U
,2025-08-05
[9]
离子源终止器及离子注入装置
[P].
高波
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高波
;
单易飞
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单易飞
.
中国专利
:CN206116344U
,2017-04-19
[10]
离子源室及设备
[P].
蒋明亮
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蒋明亮
.
中国专利
:CN210668265U
,2020-06-02
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