离子源、离子源注入设备及离子分布调整方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710296102.6
申请日
2017-04-28
公开(公告)号
CN107093542A
公开(公告)日
2017-08-25
发明(设计)人
田香军 陈艳 王学勇
申请人
申请人地址
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
IPC主分类号
H01J3708
IPC分类号
H01J37317
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
许静;刘伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
离子源电弧室、离子源及离子注入设备 [P]. 
林纪光 .
中国专利 :CN223527118U ,2025-11-07
[2]
离子源灯丝结构、离子源装置及离子注入设备 [P]. 
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邵卫 ;
邵浩 ;
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[3]
离子源 [P]. 
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[4]
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佐藤洁和 ;
长内昭宏 ;
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来栖努 ;
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[5]
离子源 [P]. 
角谷晶子 ;
桥本清 ;
佐藤洁和 ;
长内昭宏 ;
吉行健 ;
来栖努 .
中国专利 :CN103298232B ,2013-09-11
[6]
离子源 [P]. 
角谷晶子 ;
桥本清 ;
佐藤洁和 ;
长内昭宏 ;
吉行健 ;
来栖努 ;
林和夫 .
中国专利 :CN103313501A ,2013-09-18
[7]
离子光学装置、离子源及利用离子源产生目标离子的方法 [P]. 
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[8]
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[9]
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蔺增 ;
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[10]
离子源、离子注入设备、半导体器件制造方法 [P]. 
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