离子源、离子注入设备、半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03154492.4

申请日：

2003-09-30

公开(公告)号：

CN1294614C

公开(公告)日：

2004-05-19

发明(设计)人：

须黑恭一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01J3708

IPC分类号：

H01J37317 H01L21265

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

陈海红;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-05-19	公开	公开
2011-01-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101029354610 IPC(主分类):H01J 37/08 专利号:ZL031544924 申请日:20030930 授权公告日:20070110 终止日期:20091030
2004-07-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-01-10	授权	授权

共 50 条

[1]

离子源电弧室、离子源及离子注入设备 [P].

林纪光 .

中国专利 :CN223527118U ,2025-11-07

[2]

离子源和离子注入装置 [P].

佐佐木德康 ;

东明男 ;

寺泽寿浩 .

中国专利 :CN110100296B ,2019-08-06

[3]

半导体离子注入设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN222995349U ,2025-06-17

[4]

使用离子注入制造半导体器件的方法 [P].

峰地辉 ;

狮子口清一 ;

斋藤修一 .

中国专利 :CN1130757C ,1999-06-16

[5]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[6]

半导体器件的离子注入方法 [P].

刘利峰 ;

张景超 ;

李栋良 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN100533668C ,2009-01-28

[7]

半导体器件离子注入的方法 [P].

陈晓波 .

中国专利 :CN1979767A ,2007-06-13

[8]

注入装置的离子源和离子注入方法 [P].

单易飞 ;

邬璐磊 ;

董春荣 .

中国专利 :CN103887132A ,2014-06-25

[9]

离子源灯丝结构、离子源装置及离子注入设备 [P].

杜建民 ;

邵卫 ;

邵浩 ;

宋文博 .

中国专利 :CN217933703U ,2022-11-29

[10]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105957887A ,2016-09-21

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