半导体器件的离子注入方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810196098.7

申请日：

2008-09-16

公开(公告)号：

CN100533668C

公开(公告)日：

2009-01-28

发明(设计)人：

刘利峰张景超李栋良赵善麒

申请人：

申请人地址：

213022江苏省常州市新北区华山中路18号

IPC主分类号：

H01L21266

IPC分类号：

代理机构：

常州市维益专利事务所

代理人：

贾海芬

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/266 申请日:20080916 授权公告日:20090826 终止日期:20160916
2009-01-28	公开	公开
2009-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[2]

半导体器件离子注入的方法 [P].

陈晓波 .

中国专利 :CN1979767A ,2007-06-13

[3]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105957887A ,2016-09-21

[4]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN103578941B ,2014-02-12

[5]

半导体器件离子注入工艺的优化方法 [P].

居建华 ;

余兴 ;

仇志军 .

中国专利 :CN101465272B ,2009-06-24

[6]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

丁宇 ;

居建华 .

中国专利 :CN101593682B ,2009-12-02

[7]

使用离子注入制造半导体器件的方法 [P].

峰地辉 ;

狮子口清一 ;

斋藤修一 .

中国专利 :CN1130757C ,1999-06-16

[8]

离子注入区的形成方法以及半导体器件 [P].

刘志坤 ;

董天化 ;

袁俊 ;

兰启明 .

中国专利 :CN112185808A ,2021-01-05

[9]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

李民镛 ;

郑镛洙 .

中国专利 :CN101211766A ,2008-07-02

[10]

使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN105655244A ,2016-06-08

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