离子注入方法及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710149946.4

申请日：

2007-10-08

公开(公告)号：

CN101211766A

公开(公告)日：

2008-07-02

发明(设计)人：

李民镛郑镛洙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21266

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

彭久云;许向华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-25	授权	授权
2014-12-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101589711021 IPC(主分类):H01L 21/266 专利号:ZL2007101499464 申请日:20071008 授权公告日:20120125 终止日期:20131008
2008-08-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

丁宇 ;

居建华 .

中国专利 :CN101593682B ,2009-12-02

[2]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[3]

离子注入装置以及制造半导体器件的方法 [P].

M.耶利内克 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN109390224A ,2019-02-26

[4]

离子注入装置以及制造半导体器件的方法 [P].

M.耶利内克 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

德国专利 :CN109390224B ,2024-01-12

[5]

使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN105655244A ,2016-06-08

[6]

使用离子注入制造半导体器件的方法 [P].

峰地辉 ;

狮子口清一 ;

斋藤修一 .

中国专利 :CN1130757C ,1999-06-16

[7]

半导体器件的离子注入方法 [P].

刘利峰 ;

张景超 ;

李栋良 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN100533668C ,2009-01-28

[8]

半导体器件离子注入的方法 [P].

陈晓波 .

中国专利 :CN1979767A ,2007-06-13

[9]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105957887A ,2016-09-21

[10]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN103578941B ,2014-02-12

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