离子注入装置以及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810896712.4

申请日：

2018-08-08

公开(公告)号：

CN109390224A

公开(公告)日：

2019-02-26

发明(设计)人：

M.耶利内克 H-J.舒尔策 W.舒施特雷德

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

陈晓;申屠伟进

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20180808
2019-02-26	公开	公开

共 50 条

[1]

离子注入装置以及制造半导体器件的方法 [P].

M.耶利内克 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

德国专利 :CN109390224B ,2024-01-12

[2]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[3]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

丁宇 ;

居建华 .

中国专利 :CN101593682B ,2009-12-02

[4]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105957887A ,2016-09-21

[5]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN103578941B ,2014-02-12

[6]

使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN105655244A ,2016-06-08

[7]

离子注入装置和使用该离子注入装置的半导体器件制造方法 [P].

宣尚佑 .

韩国专利 :CN119626877A ,2025-03-14

[8]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

李民镛 ;

郑镛洙 .

中国专利 :CN101211766A ,2008-07-02

[9]

离子注入区的形成方法以及半导体器件 [P].

刘志坤 ;

董天化 ;

袁俊 ;

兰启明 .

中国专利 :CN112185808A ,2021-01-05

[10]

使用离子注入制造半导体器件的方法 [P].

峰地辉 ;

狮子口清一 ;

斋藤修一 .

中国专利 :CN1130757C ,1999-06-16

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