使用离子注入制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98122790.2

申请日：

1998-12-03

公开(公告)号：

CN1130757C

公开(公告)日：

1999-06-16

发明(设计)人：

峰地辉狮子口清一斋藤修一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;黄敏

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101054610132 IPC(主分类):H01L 21/265 专利号:ZL981227902 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本神奈川
2003-12-10	授权	授权
1999-05-19	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2015-01-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101596338550 IPC(主分类):H01L 21/265 专利号:ZL981227902 申请日:19981203 授权公告日:20031210 终止日期:20131203
2003-05-28	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:日本电气株式会社变更后权利人:恩益禧电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本神奈川登记生效日:20030403
1999-06-16	公开	公开

共 50 条

[1]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105957887A ,2016-09-21

[2]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN103578941B ,2014-02-12

[3]

使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN105655244A ,2016-06-08

[4]

离子注入装置和使用该离子注入装置的半导体器件制造方法 [P].

宣尚佑 .

韩国专利 :CN119626877A ,2025-03-14

[5]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[6]

半导体器件的离子注入方法 [P].

刘利峰 ;

张景超 ;

李栋良 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN100533668C ,2009-01-28

[7]

半导体器件离子注入的方法 [P].

陈晓波 .

中国专利 :CN1979767A ,2007-06-13

[8]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

李民镛 ;

郑镛洙 .

中国专利 :CN101211766A ,2008-07-02

[9]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

丁宇 ;

居建华 .

中国专利 :CN101593682B ,2009-12-02

[10]

离子注入装置以及制造半导体器件的方法 [P].

M.耶利内克 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN109390224A ,2019-02-26

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