离子注入装置和使用该离子注入装置的半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411269684.5

申请日：

2024-09-11

公开(公告)号：

CN119626877A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

宣尚佑

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国

IPC主分类号：

H01J37/317

IPC分类号：

H01L21/265

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张霞;周祺

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开

共 50 条

[1]

离子注入方法和离子注入装置 [P].

刘科 ;

马建坤 ;

曲佳佳 ;

段晋杰 .

中国专利 :CN119864281A ,2025-04-22

[2]

离子注入方法和离子注入装置 [P].

浅井博文 ;

桥野义和 .

中国专利 :CN102629543A ,2012-08-08

[3]

离子注入方法和离子注入装置 [P].

中尾和浩 .

中国专利 :CN102222595A ,2011-10-19

[4]

使用离子注入制造半导体器件的方法 [P].

峰地辉 ;

狮子口清一 ;

斋藤修一 .

中国专利 :CN1130757C ,1999-06-16

[5]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

笠间泰彦 ;

表研次 ;

横尾邦义 .

中国专利 :CN1906324A ,2007-01-31

[6]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

越智秀太 ;

二宫史郎 ;

高桥裕二 ;

香川唯信 .

中国专利 :CN108695129B ,2018-10-23

[7]

离子注入装置、离子注入方法 [P].

辻康之 .

中国专利 :CN101983413B ,2011-03-02

[8]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

工藤哲也 ;

越智昭浩 .

中国专利 :CN102693903A ,2012-09-26

[9]

离子注入装置以及制造半导体器件的方法 [P].

M.耶利内克 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN109390224A ,2019-02-26

[10]

离子注入装置以及制造半导体器件的方法 [P].

M.耶利内克 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

德国专利 :CN109390224B ,2024-01-12

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