半导体器件离子注入的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510111296.5

申请日：

2005-12-08

公开(公告)号：

CN1979767A

公开(公告)日：

2007-06-13

发明(设计)人：

陈晓波

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L2120 H01L21324

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回
2007-06-13	公开	公开
2007-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[2]

半导体器件的离子注入方法 [P].

刘利峰 ;

张景超 ;

李栋良 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN100533668C ,2009-01-28

[3]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN105957887A ,2016-09-21

[4]

使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件 [P].

D.H.富赫斯 ;

R.克內夫勒 ;

J.莱文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒斯特雷德 .

中国专利 :CN103578941B ,2014-02-12

[5]

半导体器件离子注入工艺的优化方法 [P].

居建华 ;

余兴 ;

仇志军 .

中国专利 :CN101465272B ,2009-06-24

[6]

使用离子注入制造半导体器件的方法 [P].

峰地辉 ;

狮子口清一 ;

斋藤修一 .

中国专利 :CN1130757C ,1999-06-16

[7]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

李民镛 ;

郑镛洙 .

中国专利 :CN101211766A ,2008-07-02

[8]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

丁宇 ;

居建华 .

中国专利 :CN101593682B ,2009-12-02

[9]

使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN105655244A ,2016-06-08

[10]

离子注入装置和使用该离子注入装置的半导体器件制造方法 [P].

宣尚佑 .

韩国专利 :CN119626877A ,2025-03-14

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