半导体器件离子注入工艺的优化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710172406.8

申请日：

2007-12-17

公开(公告)号：

CN101465272B

公开(公告)日：

2009-06-24

发明(设计)人：

居建华余兴仇志军

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21266

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

楼仙英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-06-24	公开	公开
2011-11-09	授权	授权
2019-12-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20071217 授权公告日:20111109 终止日期:20181217

共 50 条

[1]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[2]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

丁宇 ;

居建华 .

中国专利 :CN101593682B ,2009-12-02

[3]

半导体器件的离子注入方法 [P].

刘利峰 ;

张景超 ;

李栋良 ;

赵善麒 .

中国专利 :CN100533668C ,2009-01-28

[4]

半导体器件离子注入的方法 [P].

陈晓波 .

中国专利 :CN1979767A ,2007-06-13

[5]

半导体元器件的离子注入方法 [P].

何有丰 ;

唐兆云 .

中国专利 :CN101789364B ,2010-07-28

[6]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

李民镛 ;

郑镛洙 .

中国专利 :CN101211766A ,2008-07-02

[7]

增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法 [P].

李润领 ;

张彦伟 ;

孟晓莹 .

中国专利 :CN109712872B ,2019-05-03

[8]

一种半导体器件的离子注入优化方法 [P].

顾井纲 .

中国专利 :CN120977851B ,2025-12-23

[9]

一种半导体器件的离子注入优化方法 [P].

顾井纲 .

中国专利 :CN120977851A ,2025-11-18

[10]

使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

M.耶利内克 ;

J.G.拉文 ;

H-J.舒尔策 ;

W.舒施特雷德 .

中国专利 :CN105655244A ,2016-06-08

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