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注入装置的离子源和离子注入方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210559934.X
申请日
:
2012-12-20
公开(公告)号
:
CN103887132A
公开(公告)日
:
2014-06-25
发明(设计)人
:
单易飞
邬璐磊
董春荣
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01J3708
IPC分类号
:
H01J2708
H01J37317
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
骆苏华
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-12-28
授权
授权
2014-06-25
公开
公开
2014-07-16
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583892802 IPC(主分类):H01J 37/08 专利申请号:201210559934X 申请日:20121220
共 50 条
[1]
离子源和离子注入装置
[P].
佐佐木德康
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0
佐佐木德康
;
东明男
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东明男
;
寺泽寿浩
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寺泽寿浩
.
中国专利
:CN110100296B
,2019-08-06
[2]
离子源和离子注入装置
[P].
山下贵敏
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山下贵敏
.
中国专利
:CN102832094A
,2012-12-19
[3]
离子源和离子注入装置
[P].
山元徹朗
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山元徹朗
.
中国专利
:CN110137063A
,2019-08-16
[4]
离子源及离子注入装置
[P].
井内裕
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井内裕
.
中国专利
:CN108054071B
,2018-05-18
[5]
离子源以及离子注入装置
[P].
许飞
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许飞
;
秦斌
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秦斌
;
汪东
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汪东
;
周智
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周智
;
於鹏飞
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於鹏飞
.
中国专利
:CN104425198A
,2015-03-18
[6]
操作离子源的方法和离子注入装置
[P].
井内裕
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井内裕
;
土肥正二郎
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土肥正二郎
;
安东靖典
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安东靖典
;
松田恭博
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松田恭博
.
中国专利
:CN1953129A
,2007-04-25
[7]
离子源和离子注入器及包括离子源的方法
[P].
金勇权
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金勇权
;
李在哲
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李在哲
;
姜成镐
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姜成镐
;
李相哲
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李相哲
;
郑义庸
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郑义庸
.
中国专利
:CN1758409A
,2006-04-12
[8]
离子注入方法和离子注入装置
[P].
刘科
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
刘科
;
马建坤
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
马建坤
;
曲佳佳
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
曲佳佳
;
段晋杰
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机构:
芯恩(青岛)集成电路有限公司
芯恩(青岛)集成电路有限公司
段晋杰
.
中国专利
:CN119864281A
,2025-04-22
[9]
用于离子注入系统的离子源阴极
[P].
T·N·霍尔斯基
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T·N·霍尔斯基
;
W·E·雷伊诺尔斯
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W·E·雷伊诺尔斯
;
R·M·克劳蒂尔
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R·M·克劳蒂尔
.
中国专利
:CN1173608C
,1998-10-07
[10]
离子注入装置以及离子注入装置的控制方法
[P].
大浦正英
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大浦正英
;
今井大辅
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今井大辅
;
二宫史郎
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二宫史郎
.
中国专利
:CN104810231B
,2015-07-29
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