注入装置的离子源和离子注入方法

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专利类型
发明
申请号
CN201210559934.X
申请日
2012-12-20
公开(公告)号
CN103887132A
公开(公告)日
2014-06-25
发明(设计)人
单易飞 邬璐磊 董春荣
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01J3708
IPC分类号
H01J2708 H01J37317
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
离子源和离子注入装置 [P]. 
佐佐木德康 ;
东明男 ;
寺泽寿浩 .
中国专利 :CN110100296B ,2019-08-06
[2]
离子源和离子注入装置 [P]. 
山下贵敏 .
中国专利 :CN102832094A ,2012-12-19
[3]
离子源和离子注入装置 [P]. 
山元徹朗 .
中国专利 :CN110137063A ,2019-08-16
[4]
离子源及离子注入装置 [P]. 
井内裕 .
中国专利 :CN108054071B ,2018-05-18
[5]
离子源以及离子注入装置 [P]. 
许飞 ;
秦斌 ;
汪东 ;
周智 ;
於鹏飞 .
中国专利 :CN104425198A ,2015-03-18
[6]
操作离子源的方法和离子注入装置 [P]. 
井内裕 ;
土肥正二郎 ;
安东靖典 ;
松田恭博 .
中国专利 :CN1953129A ,2007-04-25
[7]
离子源和离子注入器及包括离子源的方法 [P]. 
金勇权 ;
李在哲 ;
姜成镐 ;
李相哲 ;
郑义庸 .
中国专利 :CN1758409A ,2006-04-12
[8]
离子注入方法和离子注入装置 [P]. 
刘科 ;
马建坤 ;
曲佳佳 ;
段晋杰 .
中国专利 :CN119864281A ,2025-04-22
[9]
用于离子注入系统的离子源阴极 [P]. 
T·N·霍尔斯基 ;
W·E·雷伊诺尔斯 ;
R·M·克劳蒂尔 .
中国专利 :CN1173608C ,1998-10-07
[10]
离子注入装置以及离子注入装置的控制方法 [P]. 
大浦正英 ;
今井大辅 ;
二宫史郎 .
中国专利 :CN104810231B ,2015-07-29