离子源和离子注入装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811472876.0

申请日：

2018-12-04

公开(公告)号：

CN110137063A

公开(公告)日：

2019-08-16

发明(设计)人：

山元徹朗

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01J3708

IPC分类号：

H01J37317

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

周善来;李雪春

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-16	公开	公开
2021-07-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J 37/08 申请公布日:20190816

共 50 条

[1]

离子源和离子注入装置 [P].

山下贵敏 .

中国专利 :CN102832094A ,2012-12-19

[2]

离子源、离子注入装置和离子注入方法 [P].

陈子强 ;

廖逸民 .

中国专利 :CN117995632B ,2025-05-09

[3]

离子源、离子注入装置和离子注入方法 [P].

陈子强 ;

廖逸民 .

中国专利 :CN117995632A ,2024-05-07

[4]

离子源和离子注入装置 [P].

佐佐木德康 ;

东明男 ;

寺泽寿浩 .

中国专利 :CN110100296B ,2019-08-06

[5]

离子源及离子注入装置 [P].

井内裕 .

中国专利 :CN108054071B ,2018-05-18

[6]

离子源以及离子注入装置 [P].

许飞 ;

秦斌 ;

汪东 ;

周智 ;

於鹏飞 .

中国专利 :CN104425198A ,2015-03-18

[7]

离子源及离子注入装置 [P].

邸太平 ;

洪纪伦 ;

倪明明 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN208753260U ,2019-04-16

[8]

离子源以及离子注入装置 [P].

汤瀬琢巳 ;

寺泽寿浩 ;

佐佐木德康 .

中国专利 :CN109314025A ,2019-02-05

[9]

注入装置的离子源和离子注入方法 [P].

单易飞 ;

邬璐磊 ;

董春荣 .

中国专利 :CN103887132A ,2014-06-25

[10]

操作离子源的方法和离子注入装置 [P].

井内裕 ;

土肥正二郎 ;

安东靖典 ;

松田恭博 .

中国专利 :CN1953129A ,2007-04-25

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