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一种电弧离子源及电弧离子源镀膜方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910075119.8
申请日
:
2019-01-25
公开(公告)号
:
CN109680250B
公开(公告)日
:
2019-04-26
发明(设计)人
:
蔺增
乔宏
王光文
李汪星
申请人
:
申请人地址
:
271000 山东省泰安市高新区配天门大街1608号
IPC主分类号
:
C23C1432
IPC分类号
:
代理机构
:
济南圣达知识产权代理有限公司 37221
代理人
:
李琳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-05-21
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/32 申请日:20190125
2019-04-26
公开
公开
2021-09-07
授权
授权
共 50 条
[1]
一种智能电弧离子源
[P].
蔺增
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蔺增
;
乔宏
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乔宏
;
王书豪
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王书豪
;
辛玉富
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辛玉富
.
中国专利
:CN107385397B
,2017-11-24
[2]
离子源
[P].
胡琅
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胡琅
;
胡强
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胡强
;
徐平
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徐平
;
冯杰
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冯杰
;
侯立涛
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侯立涛
;
方威
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方威
;
尤晶
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尤晶
.
中国专利
:CN111161987A
,2020-05-15
[3]
离子源
[P].
井内裕
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井内裕
.
中国专利
:CN102592930A
,2012-07-18
[4]
离子源、离子源注入设备及离子分布调整方法
[P].
田香军
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田香军
;
陈艳
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陈艳
;
王学勇
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王学勇
.
中国专利
:CN107093542A
,2017-08-25
[5]
网罩式离子源及利用网罩式离子源的镀膜设备、防指纹镀膜方法
[P].
黄志宏
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黄志宏
;
高斌
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高斌
;
郎文昌
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郎文昌
;
王向红
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王向红
.
中国专利
:CN107815646A
,2018-03-20
[6]
一种离子源、镀膜装置以及镀膜方法
[P].
赵鑫
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机构:
新奥科技发展有限公司
新奥科技发展有限公司
赵鑫
.
中国专利
:CN109576665B
,2024-05-03
[7]
一种离子源和镀膜装置
[P].
林循恩
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机构:
江苏先导微电子科技有限公司
江苏先导微电子科技有限公司
林循恩
;
牛二辉
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机构:
江苏先导微电子科技有限公司
江苏先导微电子科技有限公司
牛二辉
;
徐忠堂
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机构:
江苏先导微电子科技有限公司
江苏先导微电子科技有限公司
徐忠堂
;
牛晓琳
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机构:
江苏先导微电子科技有限公司
江苏先导微电子科技有限公司
牛晓琳
.
中国专利
:CN120511181A
,2025-08-19
[8]
一种离子源、镀膜装置以及镀膜方法
[P].
赵鑫
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赵鑫
.
中国专利
:CN109576665A
,2019-04-05
[9]
阳离子源装置
[P].
苏新虹
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苏新虹
;
朱兴华
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朱兴华
.
中国专利
:CN201975363U
,2011-09-14
[10]
阳离子源装置
[P].
苏新虹
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苏新虹
;
朱兴华
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朱兴华
.
中国专利
:CN201910395U
,2011-07-27
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