无定形碳膜的处理方法，开口的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110224905.3

申请日：

2011-08-05

公开(公告)号：

CN102915953B

公开(公告)日：

2013-02-06

发明(设计)人：

张彬鲍宇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-29	授权	授权
2013-02-06	公开	公开
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101413724354 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011102249053 申请日:20110805

共 50 条

[1]

无定形碳膜的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103035513A ,2013-04-10

[2]

无定形碳处理方法及采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103021838B ,2013-04-03

[3]

无定形碳膜的后处理方法 [P].

石川拓 .

中国专利 :CN101484984B ,2009-07-15

[4]

无定形碳膜、无定形碳膜的形成方法、具备无定形碳膜的导电性构件和燃料电池用隔板 [P].

伊关崇 ;

中西和之 ;

小泽康弘 ;

上田直树 ;

小泉雅史 .

中国专利 :CN104080945A ,2014-10-01

[5]

无定形碳膜的制备方法 [P].

村濑仁俊 ;

下俊久 ;

野村信福 ;

丰田洋通 ;

山下浩 ;

仓本诚 .

中国专利 :CN101146741B ,2008-03-19

[6]

无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P].

张彬 ;

邓浩 .

中国专利 :CN103137443B ,2013-06-05

[7]

无定形碳膜 [P].

织田一彦 ;

内海庆春 ;

大原久典 .

中国专利 :CN100594253C ,2005-10-26

[8]

无定形碳膜的形成方法和半导体装置的制造方法 [P].

石川拓 ;

村井唯一 ;

森崎英介 .

中国专利 :CN101622693B ,2010-01-06

[9]

无定形碳膜及其制备方法以及无定形碳膜涂敷的材料 [P].

织田一彦 ;

内海庆春 ;

大原久典 .

中国专利 :CN101580928B ,2009-11-18

[10]

无定形碳薄膜的沉积方法 [P].

周洁鹏 ;

宋维聪 .

中国专利 :CN114908331A ,2022-08-16

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