无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110383465.6

申请日：

2011-11-25

公开(公告)号：

CN103137443B

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

张彬邓浩

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

H01L21027 H01L21308

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	公开	公开
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486579444 IPC(主分类):H01L 21/033 专利申请号:2011103834656 申请日:20111125
2015-11-25	授权	授权

共 50 条

[1]

无定形碳处理方法及采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103021838B ,2013-04-03

[2]

无定形碳膜的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103035513A ,2013-04-10

[3]

硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P].

安辉 .

中国专利 :CN101441996B ,2009-05-27

[4]

无定形碳层刻蚀方法及半导体结构 [P].

孟炜祁 ;

王兆祥 ;

赵兵 ;

裴凯 ;

曾子菱 ;

叶武锦 ;

刘少康 .

中国专利 :CN119230396A ,2024-12-31

[5]

掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P].

徐载景 ;

张迎春 .

中国专利 :CN102097362A ,2011-06-15

[6]

无定形碳膜的处理方法，开口的形成方法 [P].

张彬 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN102915953B ,2013-02-06

[7]

硬掩膜层刻蚀方法 [P].

齐龙茵 ;

奚裴 .

中国专利 :CN101777493A ,2010-07-14

[8]

无定形碳膜的制备方法 [P].

村濑仁俊 ;

下俊久 ;

野村信福 ;

丰田洋通 ;

山下浩 ;

仓本诚 .

中国专利 :CN101146741B ,2008-03-19

[9]

无定形碳膜的形成方法和半导体装置的制造方法 [P].

石川拓 ;

村井唯一 ;

森崎英介 .

中国专利 :CN101622693B ,2010-01-06

[10]

无定形碳膜、无定形碳膜的形成方法、具备无定形碳膜的导电性构件和燃料电池用隔板 [P].

伊关崇 ;

中西和之 ;

小泽康弘 ;

上田直树 ;

小泉雅史 .

中国专利 :CN104080945A ,2014-10-01

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