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硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200710170950.9
申请日
:
2007-11-21
公开(公告)号
:
CN101441996B
公开(公告)日
:
2009-05-27
发明(设计)人
:
安辉
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21033
IPC分类号
:
H01L21027
H01L213105
H01L21311
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
逯长明
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2009-05-27
公开
公开
2012-01-25
授权
授权
2009-07-22
实质审查的生效
实质审查的生效
共 50 条
[1]
无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法
[P].
张彬
论文数:
0
引用数:
0
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0
张彬
;
邓浩
论文数:
0
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0
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0
邓浩
.
中国专利
:CN103137443B
,2013-06-05
[2]
掩膜层的形成方法及刻蚀方法
[P].
徐载景
论文数:
0
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0
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0
徐载景
;
张迎春
论文数:
0
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0
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0
张迎春
.
中国专利
:CN102097362A
,2011-06-15
[3]
硬掩膜层刻蚀方法
[P].
齐龙茵
论文数:
0
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0
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0
齐龙茵
;
奚裴
论文数:
0
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0
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0
奚裴
.
中国专利
:CN101777493A
,2010-07-14
[4]
硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备
[P].
裴凯
论文数:
0
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0
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
裴凯
;
王晓雯
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王晓雯
;
王兆祥
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王兆祥
;
梁洁
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
梁洁
;
王文渊
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王文渊
;
刘少康
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
刘少康
.
中国专利
:CN120809574B
,2025-11-21
[5]
硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备
[P].
裴凯
论文数:
0
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
裴凯
;
王晓雯
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0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王晓雯
;
王兆祥
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王兆祥
;
梁洁
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0
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
梁洁
;
王文渊
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王文渊
;
刘少康
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
刘少康
.
中国专利
:CN120809574A
,2025-10-17
[6]
掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法
[P].
凯文皮尔斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
凯文皮尔斯
.
中国专利
:CN102543687B
,2012-07-04
[7]
硬掩膜组合物、硬掩膜层以及图案形成方法
[P].
林栽范
论文数:
0
引用数:
0
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0
林栽范
.
中国专利
:CN114424122A
,2022-04-29
[8]
硬掩膜组合物、硬掩膜层以及图案形成方法
[P].
林栽范
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星SDI株式会社
三星SDI株式会社
林栽范
.
韩国专利
:CN114424122B
,2025-12-12
[9]
金属硬掩膜刻蚀方法
[P].
张宇
论文数:
0
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0
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0
张宇
;
黄亚辉
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0
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0
黄亚辉
;
贺小明
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0
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贺小明
;
刘钊成
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0
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0
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0
刘钊成
.
中国专利
:CN112687537A
,2021-04-20
[10]
金属硬掩膜刻蚀方法
[P].
张宇
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
张宇
;
黄亚辉
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0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
黄亚辉
;
贺小明
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0
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0
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0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
贺小明
;
刘钊成
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
刘钊成
.
中国专利
:CN112687537B
,2024-05-17
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