硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法

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专利类型
发明
申请号
CN200710170950.9
申请日
2007-11-21
公开(公告)号
CN101441996B
公开(公告)日
2009-05-27
发明(设计)人
安辉
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L21033
IPC分类号
H01L21027 H01L213105 H01L21311
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
逯长明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P]. 
张彬 ;
邓浩 .
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[2]
掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P]. 
徐载景 ;
张迎春 .
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[3]
硬掩膜层刻蚀方法 [P]. 
齐龙茵 ;
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[4]
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[5]
硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备 [P]. 
裴凯 ;
王晓雯 ;
王兆祥 ;
梁洁 ;
王文渊 ;
刘少康 .
中国专利 :CN120809574A ,2025-10-17
[6]
掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法 [P]. 
凯文皮尔斯 .
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[7]
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[8]
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林栽范 .
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[9]
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[10]
金属硬掩膜刻蚀方法 [P]. 
张宇 ;
黄亚辉 ;
贺小明 ;
刘钊成 .
中国专利 :CN112687537B ,2024-05-17