硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511316612.6

申请日：

2025-09-16

公开(公告)号：

CN120809574B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

裴凯王晓雯王兆祥梁洁王文渊刘少康

申请人：

上海邦芯半导体科技有限公司

申请人地址：

201400 上海市奉贤区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房

IPC主分类号：

H01L21/033

IPC分类号：

H01L21/311 H01L21/67 H01J37/32

代理机构：

上海信临鸿涛知识产权代理事务所(普通合伙) 3100612

代理人：

黎飞鸿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/033申请日:20250916
2025-10-17	公开	公开
2025-11-21	授权	授权

共 50 条

[1]

硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备 [P].

裴凯 ;

王晓雯 ;

王兆祥 ;

梁洁 ;

王文渊 ;

刘少康 .

中国专利 :CN120809574A ,2025-10-17

[2]

硬掩膜层刻蚀方法 [P].

齐龙茵 ;

奚裴 .

中国专利 :CN101777493A ,2010-07-14

[3]

金属硬掩膜刻蚀方法 [P].

张宇 ;

黄亚辉 ;

贺小明 ;

刘钊成 .

中国专利 :CN112687537A ,2021-04-20

[4]

金属硬掩膜刻蚀方法 [P].

张宇 ;

黄亚辉 ;

贺小明 ;

刘钊成 .

中国专利 :CN112687537B ,2024-05-17

[5]

掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法 [P].

凯文皮尔斯 .

中国专利 :CN102543687B ,2012-07-04

[6]

金属硬掩膜及其制备方法和刻蚀方法 [P].

黄耀贤 ;

黄俊宪 .

中国专利 :CN119153326A ,2024-12-17

[7]

硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P].

安辉 .

中国专利 :CN101441996B ,2009-05-27

[8]

一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102446727A ,2012-05-09

[9]

刻蚀设备及刻蚀方法 [P].

张军 ;

徐惠芬 .

中国专利 :CN113889395A ,2022-01-04

[10]

背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法 [P].

张守龙 ;

任婷婷 ;

姚道州 ;

杨鑫 ;

杜保田 ;

汪健 ;

惠科石 ;

王玉新 ;

赵正元 .

中国专利 :CN119947287B ,2025-09-26

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