一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法

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专利类型
发明
申请号
CN201110250241.8
申请日
2011-08-29
公开(公告)号
CN102446727A
公开(公告)日
2012-05-09
发明(设计)人
景旭斌 杨斌 郭明升
申请人
申请人地址
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L21336
代理机构
上海新天专利代理有限公司 31213
代理人
王敏杰
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
提高刻蚀硬掩膜氧化层和氮化硅层刻蚀选择比的方法 [P]. 
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[2]
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[3]
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[4]
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[5]
硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备 [P]. 
裴凯 ;
王晓雯 ;
王兆祥 ;
梁洁 ;
王文渊 ;
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
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