提高刻蚀硬掩膜氧化层和氮化硅层刻蚀选择比的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910196428.7

申请日：

2009-09-25

公开(公告)号：

CN102034704A

公开(公告)日：

2011-04-27

发明(设计)人：

王新鹏黄敬勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-03	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/311 登记生效日:20190415 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造（深圳）有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:518118 广东省深圳市坪山区龙田街道出口加工区高芯路18号
2012-07-25	授权	授权
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101079144316 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2009101964287 申请日:20090925
2011-04-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法 [P].

李芳 ;

刘文燕 ;

黄耀东 .

中国专利 :CN103208421B ,2013-07-17

[2]

一种对包含氮化硅的刻蚀硬掩膜层的刻蚀方法 [P].

景旭斌 ;

杨斌 ;

郭明升 .

中国专利 :CN102446727A ,2012-05-09

[3]

提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法 [P].

刘苏涛 ;

林士闵 .

中国专利 :CN118899218A ,2024-11-05

[4]

提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法 [P].

刘苏涛 ;

林士闵 .

中国专利 :CN118899218B ,2025-03-11

[5]

硬掩膜层刻蚀方法 [P].

齐龙茵 ;

奚裴 .

中国专利 :CN101777493A ,2010-07-14

[6]

氮化硅膜刻蚀方法 [P].

刘本锋 .

中国专利 :CN112331562A ,2021-02-05

[7]

刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法 [P].

赵金强 ;

周国平 ;

薛锋 ;

王惠芳 .

中国专利 :CN102148151A ,2011-08-10

[8]

氮化硅膜的干刻蚀方法 [P].

登坂久雄 .

中国专利 :CN101315891B ,2008-12-03

[9]

硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法 [P].

李芳 ;

周海锋 .

中国专利 :CN102403213A ,2012-04-04

[10]

浮栅硬掩膜层沟槽及其刻蚀方法 [P].

张振兴 .

中国专利 :CN118571753A ,2024-08-30

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