一种提高氮化硅层和氧化层刻蚀选择比的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310082090.9

申请日：

2013-03-14

公开(公告)号：

CN103208421B

公开(公告)日：

2013-07-17

发明(设计)人：

李芳刘文燕黄耀东

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

竺路玲

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-09	授权	授权
2013-07-17	公开	公开
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101506924391 IPC(主分类):H01L 21/311 专利申请号:2013100820909 申请日:20130314

共 50 条

[1]

提高刻蚀硬掩膜氧化层和氮化硅层刻蚀选择比的方法 [P].

王新鹏 ;

黄敬勇 .

中国专利 :CN102034704A ,2011-04-27

[2]

提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法 [P].

刘苏涛 ;

林士闵 .

中国专利 :CN118899218A ,2024-11-05

[3]

提高氮化硅和氧化硅蚀刻选择比的方法及掩膜层蚀刻方法 [P].

刘苏涛 ;

林士闵 .

中国专利 :CN118899218B ,2025-03-11

[4]

测量氧化硅层－氮化硅层－氧化硅层电学厚度的方法 [P].

范建国 ;

郭慧 ;

战玉讯 .

中国专利 :CN101192553A ,2008-06-04

[5]

硅、氧化硅和氮化硅的堆栈结构刻蚀方法 [P].

李芳 ;

周海锋 .

中国专利 :CN102403213A ,2012-04-04

[6]

定义氧化硅/氮化硅/氧化硅介电层的方法 [P].

施学浩 ;

陈光钊 .

中国专利 :CN1485890A ,2004-03-31

[7]

刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法 [P].

赵金强 ;

周国平 ;

薛锋 ;

王惠芳 .

中国专利 :CN102148151A ,2011-08-10

[8]

在氮化硅层上形成氮氧化硅层的方法 [P].

傅焕松 ;

谢永明 ;

罗仕洲 .

中国专利 :CN1431688A ,2003-07-23

[9]

制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅层的半导体组件的方法 [P].

陈政顺 .

中国专利 :CN1467799A ,2004-01-14

[10]

一种高氧化硅/氮化硅选择比的BOE蚀刻液 [P].

李少平 ;

杨翠翠 ;

张庭 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

李金航 ;

武昊冉 ;

欧阳克银 ;

许真 ;

董攀飞 ;

蒲帅 .

中国专利 :CN119307262A ,2025-01-14

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