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一种金属硬掩膜层的刻蚀方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510764198.9
申请日：
2025-06-09
公开(公告)号：
CN120767202A
公开(公告)日：
2025-10-10
发明(设计)人：
吴志刚 秦凡凯
申请人：
北京集成电路装备创新中心有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣昌东街甲5号3号楼10层1001-1
IPC主分类号：
H01L21/3213
IPC分类号：
代理机构：
北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726
代理人：
陈亚英
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-10 公开 公开
2025-10-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3213申请日:20250609
共 50 条
[1]
硬掩膜层刻蚀方法 [P]. 
齐龙茵 ;
奚裴 .
中国专利 :CN101777493A ,2010-07-14
[2]
金属硬掩膜刻蚀方法 [P]. 
张宇 ;
黄亚辉 ;
贺小明 ;
刘钊成 .
中国专利 :CN112687537A ,2021-04-20
[3]
金属硬掩膜刻蚀方法 [P]. 
张宇 ;
黄亚辉 ;
贺小明 ;
刘钊成 .
中国专利 :CN112687537B ,2024-05-17
[4]
背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法 [P]. 
张守龙 ;
任婷婷 ;
姚道州 ;
杨鑫 ;
杜保田 ;
汪健 ;
惠科石 ;
王玉新 ;
赵正元 .
中国专利 :CN119947287B ,2025-09-26
[5]
背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法 [P]. 
张守龙 ;
任婷婷 ;
姚道州 ;
杨鑫 ;
杜保田 ;
汪健 ;
惠科石 ;
王玉新 ;
赵正元 .
中国专利 :CN119947287A ,2025-05-06
[6]
硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P]. 
安辉 .
中国专利 :CN101441996B ,2009-05-27
[7]
硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备 [P]. 
裴凯 ;
王晓雯 ;
王兆祥 ;
梁洁 ;
王文渊 ;
刘少康 .
中国专利 :CN120809574B ,2025-11-21
[8]
硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备 [P]. 
裴凯 ;
王晓雯 ;
王兆祥 ;
梁洁 ;
王文渊 ;
刘少康 .
中国专利 :CN120809574A ,2025-10-17
[9]
金属硬掩膜及其制备方法和刻蚀方法 [P]. 
黄耀贤 ;
黄俊宪 .
中国专利 :CN119153326A ,2024-12-17
[10]
浮栅硬掩膜层沟槽及其刻蚀方法 [P]. 
张振兴 .
中国专利 :CN118571753A ,2024-08-30
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