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金属硬掩膜刻蚀方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011499448.4
申请日
:
2020-12-17
公开(公告)号
:
CN112687537A
公开(公告)日
:
2021-04-20
发明(设计)人
:
张宇
黄亚辉
贺小明
刘钊成
申请人
:
申请人地址
:
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
:
H01L21308
IPC分类号
:
H01L213065
代理机构
:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
:
彭瑞欣;王婷
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-04-20
公开
公开
2021-05-07
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/308 申请日:20201217
共 50 条
[1]
金属硬掩膜刻蚀方法
[P].
张宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
张宇
;
黄亚辉
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
黄亚辉
;
贺小明
论文数:
0
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0
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0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
贺小明
;
刘钊成
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司
刘钊成
.
中国专利
:CN112687537B
,2024-05-17
[2]
背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法
[P].
张守龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张守龙
;
任婷婷
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
任婷婷
;
姚道州
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
姚道州
;
杨鑫
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
杨鑫
;
杜保田
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
杜保田
;
汪健
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
汪健
;
惠科石
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
惠科石
;
王玉新
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
;
赵正元
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵正元
.
中国专利
:CN119947287B
,2025-09-26
[3]
背面金属格栅的硬掩膜的刻蚀方法
[P].
张守龙
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
张守龙
;
任婷婷
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0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
任婷婷
;
姚道州
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0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
姚道州
;
杨鑫
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
杨鑫
;
杜保田
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0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
杜保田
;
汪健
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
汪健
;
惠科石
论文数:
0
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
惠科石
;
王玉新
论文数:
0
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机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
;
赵正元
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0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
赵正元
.
中国专利
:CN119947287A
,2025-05-06
[4]
硬掩膜层刻蚀方法
[P].
齐龙茵
论文数:
0
引用数:
0
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0
齐龙茵
;
奚裴
论文数:
0
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0
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0
奚裴
.
中国专利
:CN101777493A
,2010-07-14
[5]
硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备
[P].
裴凯
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
裴凯
;
王晓雯
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0
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王晓雯
;
王兆祥
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王兆祥
;
梁洁
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
梁洁
;
王文渊
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王文渊
;
刘少康
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
刘少康
.
中国专利
:CN120809574B
,2025-11-21
[6]
硬掩膜刻蚀方法及刻蚀设备
[P].
裴凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
裴凯
;
王晓雯
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王晓雯
;
王兆祥
论文数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王兆祥
;
梁洁
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
梁洁
;
王文渊
论文数:
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机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王文渊
;
刘少康
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
刘少康
.
中国专利
:CN120809574A
,2025-10-17
[7]
金属硬掩膜及其制备方法和刻蚀方法
[P].
黄耀贤
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
重庆芯联微电子有限公司
重庆芯联微电子有限公司
黄耀贤
;
黄俊宪
论文数:
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引用数:
0
h-index:
0
机构:
重庆芯联微电子有限公司
重庆芯联微电子有限公司
黄俊宪
.
中国专利
:CN119153326A
,2024-12-17
[8]
浮栅硬掩膜层沟槽及其刻蚀方法
[P].
张振兴
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海华虹宏力半导体制造有限公司
上海华虹宏力半导体制造有限公司
张振兴
.
中国专利
:CN118571753A
,2024-08-30
[9]
一种金属硬掩膜层的刻蚀方法
[P].
吴志刚
论文数:
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0
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机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
吴志刚
;
秦凡凯
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京集成电路装备创新中心有限公司
北京集成电路装备创新中心有限公司
秦凡凯
.
中国专利
:CN120767202A
,2025-10-10
[10]
硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法
[P].
安辉
论文数:
0
引用数:
0
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0
安辉
.
中国专利
:CN101441996B
,2009-05-27
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