无定形碳膜的形成方法和半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880006410.X

申请日：

2008-02-21

公开(公告)号：

CN101622693B

公开(公告)日：

2010-01-06

发明(设计)人：

石川拓村井唯一森崎英介

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L213065

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李伟;舒艳君

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	授权	授权
2015-04-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101605115409 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL200880006410X 申请日:20080221 授权公告日:20120704 终止日期:20140221
2010-01-06	公开	公开
2010-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

无定形碳膜的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103035513A ,2013-04-10

[2]

无定形碳膜的成膜方法和使用其的半导体装置的制造方法 [P].

野泽俊久 ;

石川拓 .

中国专利 :CN101390199B ,2009-03-18

[3]

无定形碳氮膜的形成方法、无定形碳氮膜、多层抗蚀剂膜、半导体装置的制造方法以及存储有控制程序的存储介质 [P].

石川拓 ;

西村荣一 .

中国专利 :CN102112651A ,2011-06-29

[4]

无定形碳膜的处理方法，开口的形成方法 [P].

张彬 ;

鲍宇 .

中国专利 :CN102915953B ,2013-02-06

[5]

无定形碳膜的制备方法 [P].

村濑仁俊 ;

下俊久 ;

野村信福 ;

丰田洋通 ;

山下浩 ;

仓本诚 .

中国专利 :CN101146741B ,2008-03-19

[6]

无定形碳膜、无定形碳膜的形成方法、具备无定形碳膜的导电性构件和燃料电池用隔板 [P].

伊关崇 ;

中西和之 ;

小泽康弘 ;

上田直树 ;

小泉雅史 .

中国专利 :CN104080945A ,2014-10-01

[7]

无定形碳硬掩膜层的形成方法及刻蚀方法 [P].

张彬 ;

邓浩 .

中国专利 :CN103137443B ,2013-06-05

[8]

无定形碳处理方法及采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN103021838B ,2013-04-03

[9]

无定形碳膜及其制备方法以及无定形碳膜涂敷的材料 [P].

织田一彦 ;

内海庆春 ;

大原久典 .

中国专利 :CN101580928B ,2009-11-18

[10]

无定形碳层刻蚀方法及半导体结构 [P].

孟炜祁 ;

王兆祥 ;

赵兵 ;

裴凯 ;

曾子菱 ;

叶武锦 ;

刘少康 .

中国专利 :CN119230396A ,2024-12-31

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