一种提高发光面占比的高压LED芯片制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810312186.2

申请日：

2018-04-09

公开(公告)号：

CN108565318A

公开(公告)日：

2018-09-21

发明(设计)人：

吴永军刘亚柱齐胜利潘尧波唐军

申请人：

申请人地址：

230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3320

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

王华英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	授权	授权
2018-09-21	公开	公开
2021-03-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/00 登记生效日:20210303 变更事项:专利权人变更前权利人:合肥彩虹蓝光科技有限公司变更后权利人:宁波安芯美半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内变更后权利人:315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
2018-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20180409

共 50 条

[1]

一种提高发光效率的LED芯片及其制备方法 [P].

郑琪 ;

王华清 ;

李荣源 ;

齐向波 ;

董炜玮 ;

马利伟 .

中国专利 :CN104393151A ,2015-03-04

[2]

一种提高发光效率的LED芯片 [P].

高俊民 ;

许键 ;

吴伟东 ;

李爱玲 ;

成涛 ;

王占伟 ;

于海莲 .

中国专利 :CN204230284U ,2015-03-25

[3]

一种提高发光效率的LED芯片 [P].

吴烈飞 .

中国专利 :CN216849974U ,2022-06-28

[4]

提高发光效率的LED芯片结构 [P].

邓群雄 ;

郭文平 ;

柯志杰 ;

黄慧诗 .

中国专利 :CN203521452U ,2014-04-02

[5]

提高发光效率的LED芯片结构 [P].

邓群雄 ;

郭文平 ;

柯志杰 ;

黄慧诗 .

中国专利 :CN103531682A ,2014-01-22

[6]

一种提升高压LED芯片发光效率的方法 [P].

潘尧波 ;

吴永军 ;

刘亚柱 ;

唐军 ;

吕振兴 .

中国专利 :CN107611235B ,2018-01-19

[7]

一种提高发光效率的LED支架和LED [P].

苏宏波 ;

孙平如 ;

邢其彬 .

中国专利 :CN201796960U ,2011-04-13

[8]

高发光率LED的制备方法及高发光率LED [P].

尹晓雪 .

中国专利 :CN107863441A ,2018-03-30

[9]

一种具有高发光效率的LED芯片及其制备方法 [P].

陈庆 ;

司文彬 ;

曾军堂 .

中国专利 :CN107591472A ,2018-01-16

[10]

一种提高LED芯片发光效率的制备方法 [P].

朱广敏 ;

徐慧文 ;

张宇 ;

李起鸣 .

中国专利 :CN106531615A ,2017-03-22

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