一种提升高压LED芯片发光效率的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710756746.9

申请日：

2017-08-29

公开(公告)号：

CN107611235B

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

潘尧波吴永军刘亚柱唐军吕振兴

申请人：

申请人地址：

230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3344

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

王华英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-25	授权	授权
2021-03-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/38 登记生效日:20210302 变更事项:专利权人变更前权利人:合肥彩虹蓝光科技有限公司变更后权利人:宁波安芯美半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:230011 安徽省合肥市合肥新站区工业园内变更后权利人:315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/38 申请日:20170829
2018-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高压LED芯片制备方法及高压LED芯片 [P].

张亚 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117894886A ,2024-04-16

[2]

一种提升LED芯片侧面出光效率的方法 [P].

徐盼盼 ;

闫宝华 ;

高瑜 ;

李君 .

中国专利 :CN115911191B ,2025-12-19

[3]

一种提升发光效率的LED芯片制作方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN113823715A ,2021-12-21

[4]

一种提升发光效率的LED芯片制作方法 [P].

徐平 .

中国专利 :CN113823715B ,2024-05-14

[5]

一种提高发光面占比的高压LED芯片制备方法 [P].

吴永军 ;

刘亚柱 ;

齐胜利 ;

潘尧波 ;

唐军 .

中国专利 :CN108565318A ,2018-09-21

[6]

一种高压LED芯片的深刻蚀方法 [P].

黄斌斌 ;

罗坤 ;

李永同 ;

李运军 ;

刘兆 .

中国专利 :CN112349818B ,2021-02-09

[7]

一种提升出光效率的LED芯片 [P].

吕守贵 ;

杨燕 ;

郭磊 ;

王先明 ;

董国庆 ;

文国昇 ;

金从龙 .

中国专利 :CN220984551U ,2024-05-17

[8]

一种提高发光效率的LED芯片 [P].

高俊民 ;

许键 ;

吴伟东 ;

李爱玲 ;

成涛 ;

王占伟 ;

于海莲 .

中国专利 :CN204230284U ,2015-03-25

[9]

一种LED芯片及提高LED芯片发光效率的方法 [P].

陈庆 ;

司文彬 ;

曾军堂 .

中国专利 :CN107369745A ,2017-11-21

[10]

一种提高LED芯片发光效率的方法 [P].

王艳阳 ;

左建文 ;

凡头春 .

中国专利 :CN120916542A ,2025-11-07

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