套刻标记的形成方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110209604.7

申请日：

2021-02-25

公开(公告)号：

CN113013076B

公开(公告)日：

2021-06-22

发明(设计)人：

郭帅

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L2168

IPC分类号：

H01L23544

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤;陈丽丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/68 申请日:20210225
2021-06-22	公开	公开
2022-06-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

徐正弘 .

中国专利 :CN117637437A ,2024-03-01

[2]

半导体结构的形成方法及半导体结构 [P].

张东雪 ;

林格伟 .

中国专利 :CN113053805B ,2021-06-29

[3]

半导体结构的形成方法 [P].

张城龙 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106033742A ,2016-10-19

[4]

半导体结构的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103839878B ,2014-06-04

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105762107A ,2016-07-13

[6]

半导体结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

潘晶 ;

王琪 ;

宁先捷 .

中国专利 :CN104425366A ,2015-03-18

[7]

半导体结构的形成方法 [P].

汪沛 .

中国专利 :CN118969718B ,2025-09-23

[8]

半导体结构的形成方法 [P].

赵海 .

中国专利 :CN105097533A ,2015-11-25

[9]

半导体结构的形成方法 [P].

黄秋平 ;

卞祖洋 .

中国专利 :CN105374675A ,2016-03-02

[10]

半导体结构的形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN103531444B ,2014-01-22

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