一种半导体衬底、半导体器件及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202110851191.2

申请日：

2021-07-27

公开(公告)号：

CN115692508A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

罗浩

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2949 H01L2712 H01L21336

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327

代理人：

高静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制作方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN103839983B ,2014-06-04

[2]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101740393A ,2010-06-16

[3]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[4]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[5]

一种半导体器件以及制作半导体器件的方法 [P].

平延磊 ;

周鸣 .

中国专利 :CN103531470B ,2014-01-22

[6]

半导体器件的制作方法及半导体器件和电子装置 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN107481968A ,2017-12-15

[7]

半导体器件及其制作方法 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN117712143A ,2024-03-15

[8]

半导体器件及其制作方法 [P].

满田胜弘 ;

本多光晴 ;

饭塚朗 .

中国专利 :CN100365769C ,2004-06-30

[9]

半导体器件及其制作方法 [P].

蒋莉 .

中国专利 :CN104716172A ,2015-06-17

[10]

半导体器件及其制作方法 [P].

胡守时 ;

陈永南 ;

房世林 .

中国专利 :CN105336750B ,2016-02-17

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