一种多孔g-C3N4纳米薄片的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110898933.7

申请日：

2021-08-03

公开(公告)号：

CN113697783A

公开(公告)日：

2021-11-26

发明(设计)人：

关荣锋田亚西高岩石文艳张海成李正恩

申请人：

申请人地址：

224051 江苏省盐城市希望大道中路1号

IPC主分类号：

C01B21082

IPC分类号：

C01B304

代理机构：

北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387

代理人：

刘春成;刘素霞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/082 申请日:20210803
2021-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种梭形g-C3N4的纳米材料、及其制备方法 [P].

李佳 ;

金云霞 ;

王庆辉 ;

刘阳 .

中国专利 :CN107512707B ,2017-12-26

[2]

多孔g-C3N4/FeTa光催化材料的制备方法 [P].

谢焕玲 .

中国专利 :CN110152709A ,2019-08-23

[3]

一种元素掺杂的多孔g-C3N4纳米片的制备方法 [P].

舒杼 ;

王文斌 ;

周俊 .

中国专利 :CN108855182A ,2018-11-23

[4]

一种g-C3N4超薄纳米片的制备方法 [P].

黄敏旋 ;

王丽伟 ;

符浩 ;

余克服 ;

王英辉 .

中国专利 :CN109607500A ,2019-04-12

[5]

一种硫掺杂蜂窝状纳米薄片g-C3N4及其制备方法和应用 [P].

关荣锋 ;

田亚西 ;

王新霖 ;

石文艳 ;

邵荣 ;

丁成 ;

杨秀丽 .

中国专利 :CN115055199A ,2022-09-16

[6]

一种AuCu/g-C3N4复合纳米材料的制备方法 [P].

韩长存 ;

刘志锋 ;

童正夫 ;

蔡齐军 ;

马重昊 .

中国专利 :CN110180571A ,2019-08-30

[7]

一种薄层g-C3N4的制备方法 [P].

贾并泉 ;

黄婷 ;

付永胜 ;

汪信 ;

朱俊武 .

中国专利 :CN106006580A ,2016-10-12

[8]

FeS2/g-C3N4异质结材料的制备方法及其应用 [P].

李莉 ;

赵志伟 ;

袁艺鸣 ;

张赛 ;

黄俊 ;

代勤 .

中国专利 :CN110075896B ,2019-08-02

[9]

多孔g-C3N4半导体材料的制备方法 [P].

杨辉 ;

蔡奇风 ;

沈建超 ;

冯宇 ;

申乾宏 .

中国专利 :CN104310321A ,2015-01-28

[10]

一种改性g-C3N4纳米抗菌材料及其制备方法和应用 [P].

钟炳伟 ;

郭超 ;

张静涛 ;

刘炳坤 ;

刘贝贝 ;

韩冰 ;

南瑞春 ;

翟梦婉 ;

朱梦真 ;

梁天柱 .

中国专利 :CN117652525A ,2024-03-08

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