一种梭形g-C3N4的纳米材料、及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710879100.X

申请日：

2017-09-26

公开(公告)号：

CN107512707B

公开(公告)日：

2017-12-26

发明(设计)人：

李佳金云霞王庆辉刘阳

申请人：

申请人地址：

650504 云南省昆明市呈贡区月华街2929号

IPC主分类号：

C01B21082

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C01B 21/082 申请日:20170926 授权公告日:20201103 终止日期:20210926
2018-01-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 21/082 申请日:20170926
2020-11-03	授权	授权
2017-12-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种多孔g-C3N4纳米薄片的制备方法及其应用 [P].

关荣锋 ;

田亚西 ;

高岩 ;

石文艳 ;

张海成 ;

李正恩 .

中国专利 :CN113697783A ,2021-11-26

[2]

一种具有单原子厚度的单层g-C3N4纳米材料的制备方法 [P].

樊君 ;

马永宁 ;

刘恩周 ;

胡晓云 ;

李兴华 ;

代宏哲 ;

武慧童 ;

樊骁 ;

李银叶 .

中国专利 :CN103848405A ,2014-06-11

[3]

一种g-C3N4/FeS2纳米复合材料的制备方法 [P].

李长生 ;

张帅 ;

付彦惠 ;

纪琳晶 .

中国专利 :CN106698526B ,2017-05-24

[4]

一种改性g-C3N4材料及其制备方法和用途 [P].

杨旸 ;

赵春 .

中国专利 :CN113578369A ,2021-11-02

[5]

一种AuCu/g-C3N4复合纳米材料的制备方法 [P].

韩长存 ;

刘志锋 ;

童正夫 ;

蔡齐军 ;

马重昊 .

中国专利 :CN110180571A ,2019-08-30

[6]

一种元素掺杂的多孔g-C3N4纳米片的制备方法 [P].

舒杼 ;

王文斌 ;

周俊 .

中国专利 :CN108855182A ,2018-11-23

[7]

Ni-NiO/g-C3N4纳米复合材料的制备方法 [P].

张平 ;

方坤 ;

林佳宏 ;

米海刚 ;

韩立娟 ;

安召 .

中国专利 :CN110142059B ,2019-08-20

[8]

一种薄层g-C3N4的制备方法 [P].

贾并泉 ;

黄婷 ;

付永胜 ;

汪信 ;

朱俊武 .

中国专利 :CN106006580A ,2016-10-12

[9]

FeS2/g-C3N4异质结材料的制备方法及其应用 [P].

李莉 ;

赵志伟 ;

袁艺鸣 ;

张赛 ;

黄俊 ;

代勤 .

中国专利 :CN110075896B ,2019-08-02

[10]

一种Bi@Ti3C2/g-C3N4复合材料及其制备方法 [P].

柏寄荣 ;

许鹏 ;

邓瑶瑶 ;

邵林锋 ;

左武杰 .

中国专利 :CN111111735A ,2020-05-08

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