用于通过原子层沉积来沉积铜膜的挥发性铜(II)配合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03802302.4

申请日：

2003-01-21

公开(公告)号：

CN100360709C

公开(公告)日：

2005-05-18

发明(设计)人：

A·Z·布拉利 D·L·托恩 J·S·汤普森

申请人：

申请人地址：

美国特拉华州威尔明顿

IPC主分类号：

C23C1618

IPC分类号：

C07F108 C07C24902 C07C24916 C07C25178 C07C25116 C07C25112

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

郭广迅;段晓玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-05-18	公开	公开
2005-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-01-09	授权	授权
2011-03-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101061089326 IPC(主分类):C23C 16/18 专利号:ZL038023024 申请日:20030121 授权公告日:20080109 终止日期:20100221

共 50 条

[1]

通过原子层沉积用于沉积铜膜的挥发性铜(Ⅰ)配合物 [P].

A·Z·布拉德利 ;

J·S·汤普森 .

中国专利 :CN1774523A ,2006-05-17

[2]

采用甲酸铜配合物的铜沉积方法 [P].

J·S·汤普森 .

中国专利 :CN1602314A ,2005-03-30

[3]

通过原子层沉积和原子层蚀刻沉积共形膜 [P].

米卡尔·达内克 ;

乔恩·亨利 ;

谢恩·唐 .

中国专利 :CN106057637A ,2016-10-26

[4]

通过原子层沉积来沉积的抗侵蚀金属氧化物涂层 [P].

邬笑炜 ;

J·Y·孙 ;

M·R·赖斯 .

中国专利 :CN110735129A ,2020-01-31

[5]

通过原子层沉积来沉积的抗侵蚀金属氟化物涂层 [P].

邬笑炜 ;

J·Y·孙 ;

M·R·赖斯 .

中国专利 :CN110735128A ,2020-01-31

[6]

通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜 [P].

P.F.卡西亚 ;

R.S.麦克莱恩 .

中国专利 :CN103215569A ,2013-07-24

[7]

通过原子层沉积形成的塑料基材阻挡层膜 [P].

P·F·卡西亚 ;

R·S·麦克莱恩 .

中国专利 :CN1791989A ,2006-06-21

[8]

碳膜的原子层沉积 [P].

阿德里安·拉沃伊 .

美国专利 :CN112005339B ,2025-04-15

[9]

碳膜的原子层沉积 [P].

阿德里安·拉沃伊 .

中国专利 :CN112005339A ,2020-11-27

[10]

碳膜的原子层沉积 [P].

阿德里安·拉沃伊 .

美国专利 :CN120497125A ,2025-08-15

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