一种平面栅功率器件结构及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610521766.3
申请日
2016-06-30
公开(公告)号
CN105931970A
公开(公告)日
2016-09-07
发明(设计)人
杨彦涛 王平 赵金波 曹俊 苑羽中
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街(东)308号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L21331 H01L2978 H01L29739 H01L2906
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
智云
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
平面栅功率器件结构及其形成方法 [P]. 
杨彦涛 ;
邵凯 ;
向璐 ;
陈琛 ;
吕焕秀 .
中国专利 :CN106024595A ,2016-10-12
[2]
平面栅功率器件结构 [P]. 
杨彦涛 ;
邵凯 ;
向璐 ;
陈琛 ;
吕焕秀 .
中国专利 :CN205752104U ,2016-11-30
[3]
一种平面栅功率器件 [P]. 
杨彦涛 ;
王平 ;
赵金波 ;
曹俊 ;
苑羽中 .
中国专利 :CN205752105U ,2016-11-30
[4]
平面栅功率器件及其制造方法 [P]. 
曾大杰 .
中国专利 :CN119451200A ,2025-02-14
[5]
平面栅功率器件及其制造方法 [P]. 
曾大杰 .
中国专利 :CN119451200B ,2025-10-17
[6]
一种屏蔽栅功率器件及其形成方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN121174585A ,2025-12-19
[7]
功率器件终端结构及其形成方法 [P]. 
汪旭东 ;
王聪 ;
宋飞 ;
梁昕 ;
王珏 ;
陈政 .
中国专利 :CN110729349A ,2020-01-24
[8]
功率器件及其形成方法 [P]. 
张园览 ;
孙博韬 ;
魏春雨 .
中国专利 :CN119133241A ,2024-12-13
[9]
分离栅沟槽结构功率器件的形成方法 [P]. 
徐怀花 ;
季明华 ;
张汝京 ;
王欢 ;
杨龙康 .
中国专利 :CN113497121A ,2021-10-12
[10]
分离栅沟槽结构功率器件的形成方法 [P]. 
徐怀花 ;
季明华 ;
张汝京 ;
王欢 ;
杨龙康 .
中国专利 :CN113497121B ,2024-04-16