氮化物外延层及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810220252.3

申请日：

2018-03-16

公开(公告)号：

CN108428619A

公开(公告)日：

2018-08-21

发明(设计)人：

金峻渊魏进

申请人：

申请人地址：

519000 广东省珠海市唐家湾镇港湾大道科技一路10号主楼第六层617房B单元

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

万志香

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-16	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20180821
2018-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180316
2018-08-21	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114574960A ,2022-06-03

[2]

氮化物外延片及其制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN118198217A ,2024-06-14

[3]

氮化物外延结构及其制备方法 [P].

孙国臻 ;

杨凯 ;

张晓荣 ;

林晓霞 .

中国专利 :CN115705995A ,2023-02-17

[4]

MOCVD生长氮化物外延层的方法 [P].

郝茂盛 ;

潘尧波 ;

颜建锋 ;

周建华 ;

孙永健 ;

杨卫桥 ;

陈志忠 ;

张国义 .

中国专利 :CN101343733B ,2009-01-14

[5]

厚的赝晶氮化物外延层 [P].

L.J.肖沃尔特 ;

J.A.斯马特 ;

J.R.格兰达斯基 ;

刘仕文 .

中国专利 :CN101652832B ,2010-02-17

[6]

一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114574959A ,2022-06-03

[7]

一种氮化物外延结构及其制备方法 [P].

赖穆人 ;

刘锐森 ;

刘召忠 ;

蓝文新 .

中国专利 :CN114171647A ,2022-03-11

[8]

一种氮化物外延结构及其制备方法 [P].

赖穆人 ;

刘锐森 ;

刘召忠 ;

蓝文新 .

中国专利 :CN114171647B ,2024-06-28

[9]

提高氮化物外延层耐压特性的缓冲层生长方法 [P].

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN107516629B ,2017-12-26

[10]

一种复合衬底氮化物外延片及其制备方法 [P].

苗操 ;

刘兆平 .

中国专利 :CN120690672A ,2025-09-23

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