氮化物外延结构及其制备方法

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申请号
CN202110890902.7
申请日
2021-08-04
公开(公告)号
CN115705995A
公开(公告)日
2023-02-17
发明(设计)人
孙国臻 杨凯 张晓荣 林晓霞
申请人
申请人地址
214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
魏宇星
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化物外延层结构、氮化物外延片及制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114574960A ,2022-06-03
[2]
氮化物外延层及其制备方法 [P]. 
金峻渊 ;
魏进 .
中国专利 :CN108428619A ,2018-08-21
[3]
氮化物外延片及其制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN118198217A ,2024-06-14
[4]
一种氮化物外延结构及其制备方法 [P]. 
赖穆人 ;
刘锐森 ;
刘召忠 ;
蓝文新 .
中国专利 :CN114171647A ,2022-03-11
[5]
一种氮化物外延结构及其制备方法 [P]. 
赖穆人 ;
刘锐森 ;
刘召忠 ;
蓝文新 .
中国专利 :CN114171647B ,2024-06-28
[6]
非极性面Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法 [P]. 
邢琨 ;
陈刚毅 ;
王江涛 .
中国专利 :CN109148654B ,2019-01-04
[7]
一种氮化物外延结构 [P]. 
苗操 ;
刘兆平 .
中国专利 :CN120379316A ,2025-07-25
[8]
一种III族氮化物外延结构及其制备方法 [P]. 
陈万军 ;
谢志文 ;
张铭信 ;
陈铭胜 .
中国专利 :CN114725256A ,2022-07-08
[9]
氮化物外延结构和半导体器件 [P]. 
陈智斌 ;
罗睿宏 .
中国专利 :CN114256057A ,2022-03-29
[10]
氮化物外延片及其制备方法和半导体器件 [P]. 
陈智斌 ;
黄伯宁 .
中国专利 :CN111682061A ,2020-09-18